[發(fā)明專利]用于切片與查看樣本成像的方法和設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580040717.1 | 申請日: | 2015-06-11 |
| 公開(公告)號: | CN106663585B | 公開(公告)日: | 2019-05-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | V.布羅登 | 申請(專利權(quán))人: | FEI公司 |
| 主分類號: | H01J37/26 | 分類號: | H01J37/26;H01J37/08 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 徐紅燕;陳嵐 |
| 地址: | 美國俄*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 切片 查看 樣本 成像 方法 設(shè)備 | ||
1.一種用于使用雙帶電粒子束來觀察特征的設(shè)備,包括:
聚焦離子束柱,其被配置成生成、聚焦并引導(dǎo)聚焦離子束;
電子束柱,其被配置成生成、聚焦并引導(dǎo)電子束;
一個或多個處理器;以及
計算機可讀存儲介質(zhì),其被耦合到所述一個或多個處理器中的至少一個,所述計算機可讀存儲介質(zhì)包括第一可執(zhí)行指令和第二可執(zhí)行指令,
其中,第一可執(zhí)行指令在被執(zhí)行時促使所述一個或多個處理器引導(dǎo)聚焦離子束以在基板的表面中銑削溝槽,所述溝槽使在要觀察特征周圍具有一定面積的垂直壁暴露,并且
其中,第二可執(zhí)行指令在被執(zhí)行時促使所述一個或多個處理器:
在電子束柱相對于所述電子束柱的縱軸保持在第一入射角的同時引導(dǎo)電子束捕捉所述垂直壁的第一電子束圖像;
將所述縱軸與所述垂直壁之間的入射角從第一入射角變成第二入射角;
在電子束柱保持在第二入射角的同時引導(dǎo)電子束捕捉所述垂直壁的第二電子束圖像;以及
基于第一電子束圖像與第二電子束圖像之間的點坐標(biāo)的差來近似所述垂直壁的形貌。
2.權(quán)利要求1的設(shè)備,其中,所述垂直壁的形貌的近似包括使用第一電子束圖像和第二電子束圖像中的所述垂直壁上的多個點相對于第一電子束圖像和第二電子束圖像中的參考點的位置來計算用于所述多個點的三維坐標(biāo)。
3.權(quán)利要求2的設(shè)備,其中,所述垂直壁的形貌的近似包括向近似所述垂直壁的形貌的三維坐標(biāo)擬合曲線。
4.權(quán)利要求1的設(shè)備,其中,基于第一電子束圖像與第二電子束圖像之間的點坐標(biāo)的差來近似所述垂直壁的形貌包括:
在第一電子束圖像中測量所述垂直壁上的多個點與所述垂直壁上的一個或多個參考點之間的第一距離;以及
在第二電子束圖像中測量所述多個點與所述一個或多個參考點之間的第二距離。
5.權(quán)利要求1的設(shè)備,其中,第二可執(zhí)行指令在被執(zhí)行時促使所述一個或多個處理器通過引導(dǎo)載物臺的旋轉(zhuǎn)來改變所述縱軸與所述垂直壁之間的入射角。
6.權(quán)利要求1的設(shè)備,其中,第二可執(zhí)行指令在被執(zhí)行時促使所述一個或多個處理器通過引導(dǎo)電子束柱的重定位來改變所述縱軸與所述垂直壁之間的入射角。
7.權(quán)利要求1的設(shè)備,還包括第三可執(zhí)行指令,其在被執(zhí)行時促使所述一個或多個處理器:
引導(dǎo)聚焦離子束以連續(xù)地從位于所述垂直壁后面的材料體積去除多個切片,其中,所述材料體積包括要觀察的特征,并且連續(xù)地去除所述多個切片連續(xù)地使多個附加垂直壁暴露;以及
針對所述多個附加垂直壁中的每個垂直壁執(zhí)行第二可執(zhí)行指令。
8.權(quán)利要求7的設(shè)備,還包括第四可執(zhí)行指令,其在被執(zhí)行時促使所述一個或多個處理器使用所述垂直壁和所述多個附加垂直壁的形貌的近似來構(gòu)造要觀察的特征的三維圖像。
9.一種用雙射束系統(tǒng)通過切片與查看處理來處理樣本的方法,包括:
通過使用蝕刻射束從樣本去除材料的第一切片來使在樣本的表面中形成的溝槽的垂直壁暴露;
通過在所述垂直壁相對于詢問射束處于第一取向的同時用詢問射束詢問所述垂直壁來捕捉所述垂直壁的第一圖像;
將所述垂直壁相對于所述詢問射束重定向;
通過在所述垂直壁相對于所述詢問射束處于第二取向的同時用詢問射束詢問所述垂直壁來捕捉所述垂直壁的第二圖像,其中,所述垂直壁上的表面點與參考點之間的在第一圖像中的第一距離不同于所述表面點與所述參考點之間的在第二圖像中的第二距離;
使用第一距離和第二距離來確定所述表面點的標(biāo)高;以及
使用所述標(biāo)高向所述垂直壁的形貌擬合曲線。
10.權(quán)利要求9的方法,其中,向所述垂直壁的形貌擬合曲線包括生成用于所述表面點的三維坐標(biāo),其中,所述三維坐標(biāo)包括用于所述表面點中的每一個的垂直位置、水平位置以及標(biāo)高。
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