[發(fā)明專利]聲波濾波器和使用其的雙工器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580040547.7 | 申請日： | 2015-07-17 |
| 公開（公告）號： | CN106664072A | 公開（公告）日： | 2017-05-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 池內(nèi)哲 | 申請（專利權(quán)）人： | 天工濾波方案日本有限公司 |
| 主分類號： | H03H9/02 | 分類號： | H03H9/02;H03H9/64 |
| 代理公司： | 北京市正見永申律師事務(wù)所11497 | 代理人： | 黃小臨 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 聲波 濾波器 使用 雙工器 | ||
1.一種聲波濾波器，包括：
襯底；
信號線，設(shè)置在所述襯底上并且將第一信號端子連接到第二信號端子；
至少一個串聯(lián)諧振器，在所述第一和第二信號端子之間串聯(lián)連接到所述信號線；以及
多個并聯(lián)諧振器，并聯(lián)連接在所述信號線和至少一個接地端子之間，所述多個并聯(lián)諧振器包括第一和第二并聯(lián)諧振器，其每個具有叉指換能器(IDT)電極和覆蓋所述IDT電極的電介質(zhì)膜，所述第一并聯(lián)諧振器具有比所述第二并聯(lián)諧振器的諧振頻率更接近所述聲波濾波器的通帶的諧振頻率，覆蓋所述第一并聯(lián)諧振器的IDT電極的電介質(zhì)膜具有比覆蓋所述第二并聯(lián)諧振器的IDT電極的電介質(zhì)膜的膜厚度更大的膜厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲波濾波器，其中，所述第一并聯(lián)諧振器包括兩個第一并聯(lián)諧振器。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的聲波濾波器，其中，所述兩個第一并聯(lián)諧振器中的一個在所述多個并聯(lián)諧振器中具有最接近所述聲波濾波器的通帶的諧振頻率，所述兩個第一并聯(lián)諧振器中的另一個在所述多個并聯(lián)諧振器中具有第二接近所述聲波濾波器的通帶的諧振頻率。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中的任一項所述的聲波濾波器，其中，所述襯底為鈮酸鋰壓電襯底。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的聲波濾波器，其中，所述鈮酸鋰壓電襯底具有滿足下式的歐拉角(θ，ψ)，
[數(shù)學式1]
213°≤θ≤223°，以及-5°≤ψ≤5°。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中的任一項所述的聲波濾波器，其中，覆蓋所述第一并聯(lián)諧振器的IDT電極的電介質(zhì)膜的膜厚度約為1850nm，覆蓋所述第二并聯(lián)諧振器的IDT電極的電介質(zhì)膜的膜厚度約為1600nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中的任一項所述的聲波濾波器，其中，所述至少一個串聯(lián)諧振器包括第一和第二串聯(lián)諧振器，其每個具有IDT電極和覆蓋所述IDT電極的電介質(zhì)膜，所述第一串聯(lián)諧振器具有比所述第二串聯(lián)諧振器的反諧振頻率更接近所述聲波濾波器的通帶的反諧振頻率，覆蓋所述第一串聯(lián)諧振器的IDT電極的電介質(zhì)膜具有比覆蓋所述第二串聯(lián)諧振器的IDT電極的電介質(zhì)膜的膜厚度更大的膜厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-6中的任一項所述的聲波濾波器，其中，所述至少一個串聯(lián)諧振器包括多個串聯(lián)諧振器，其每個具有IDT電極和覆蓋所述IDT電極的電介質(zhì)膜，所述多個串聯(lián)諧振器中的第一串聯(lián)諧振器在所述多個串聯(lián)諧振器中具有最接近所述聲波濾波器的通帶的反諧振頻率，覆蓋所述第一串聯(lián)諧振器的IDT電極的電介質(zhì)膜比覆蓋所述多個串聯(lián)諧振器中的其他串聯(lián)諧振器的IDT電極的電介質(zhì)膜更厚。
9.一種聲波濾波器，包括：
襯底；
信號線，設(shè)置在所述襯底上并且將第一信號端子連接到第二信號端子；
至少一個并聯(lián)諧振器，并聯(lián)連接在所述信號線和至少一個接地端子之間；以及
多個串聯(lián)諧振器，在所述第一和第二信號端子之間串聯(lián)連接到所述信號線，所述多個串聯(lián)諧振器包括第一和第二串聯(lián)諧振器，其每個具有IDT電極和覆蓋所述IDT電極的電介質(zhì)膜，所述第一串聯(lián)諧振器具有比所述第二串聯(lián)諧振器的反諧振頻率更接近所述聲波濾波器的通帶的反諧振頻率，覆蓋所述第一串聯(lián)諧振器的IDT電極的電介質(zhì)膜具有比覆蓋所述第二串聯(lián)諧振器的IDT電極的電介質(zhì)膜的膜厚度更大的膜厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的聲波濾波器，其中，所述襯底為鈮酸鋰壓電襯底。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的聲波濾波器，其中，所述鈮酸鋰壓電襯底具有滿足下式的歐拉角(θ，ψ)，
[數(shù)學式2]
213°≤θ≤223°，以及-5°≤ψ≤5°。
12.根據(jù)權(quán)利要求9-11中的任一項所述的聲波濾波器，其中，所述至少一個并聯(lián)諧振器包括第一和第二并聯(lián)諧振器，其每個具有IDT電極和覆蓋所述IDT電極的電介質(zhì)膜，所述第一并聯(lián)諧振器具有比所述第二并聯(lián)諧振器的諧振頻率更接近所述聲波濾波器的通帶的諧振頻率，覆蓋所述第一并聯(lián)諧振器的IDT電極的電介質(zhì)膜具有比覆蓋所述多個并聯(lián)諧振器中的其他并聯(lián)諧振器的IDT電極的電介質(zhì)膜的膜厚度更大的膜厚度。
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