[發(fā)明專利]產生薄無機膜的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580040271.2
• 申請日: 2015-07-22
• 公開（公告）號: CN107278235B
• 公開（公告）日: 2019-08-13
• 發(fā)明（設計）人: J·斯特勞特曼;R·帕切洛;T·紹布;F·艾克邁爾;D·勒夫勒;H·威爾默;U·雷迪厄斯;J·伯塞爾;F·赫琳
• 申請（專利權）人: 巴斯夫歐洲公司
• 主分類號: C23C16/18
• 分類號: C23C16/18;C23C16/455;C07F15/04;C07F15/06
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 張雙雙;劉金輝

1.一種產生固體基材上的無機膜的方法，包括使通式(I)的化合物變?yōu)闅鈶B(tài)或氣溶膠狀態(tài)和將通式(I)的化合物由氣態(tài)或氣溶膠狀態(tài)沉積至固體基材上，

L_n----M---X_m (I)

其中

R¹和R⁴彼此獨立地為烷基、芳基或三烷基甲硅烷基，

R²、R³、R⁵和R⁶彼此獨立地為氫、烷基、芳基或三烷基甲硅烷基，

n為1至3的整數，

M為Ni或Co，

X為與M配位的配體，且

m為0至4的整數。

2.根據權利要求1的方法，其中該通式(I)的化合物化學吸著在該固體基材的表面上。

3.根據權利要求1的方法，其中通過移除所有配體L和X分解沉積的通式(I)的化合物。

4.根據權利要求2的方法，其中通過移除所有配體L和X分解沉積的通式(I)的化合物。

5.根據權利要求3的方法，其中該沉積的通式(I)的化合物暴露于還原劑。

6.根據權利要求4的方法，其中該沉積的通式(I)的化合物暴露于還原劑。

7.根據權利要求3的方法，其中將通式(I)的化合物沉積至固體基材上和分解沉積的通式(I)的化合物的工序進行至少兩次。

8.根據權利要求4的方法，其中將通式(I)的化合物沉積至固體基材上和分解沉積的通式(I)的化合物的工序進行至少兩次。

9.根據權利要求5的方法，其中將通式(I)的化合物沉積至固體基材上和分解沉積的通式(I)的化合物的工序進行至少兩次。

10.根據權利要求6的方法，其中將通式(I)的化合物沉積至固體基材上和分解沉積的通式(I)的化合物的工序進行至少兩次。

11.根據權利要求1-10中任一項的方法，其中R²、R³、R⁵和R⁶為氫。

12.根據權利要求1-10中任一項的方法，其中R²和R³為甲基。

13.根據權利要求1-10中任一項的方法，其中n為2。

14.根據權利要求11的方法，其中n為2。

15.根據權利要求12的方法，其中n為2。

16.根據權利要求1-10中任一項的方法，其中R¹和/或R⁴為甲基或叔丁基。

17.根據權利要求11的方法，其中R¹和/或R⁴為甲基或叔丁基。

18.根據權利要求12的方法，其中R¹和/或R⁴為甲基或叔丁基。

19.根據權利要求13的方法，其中R¹和/或R⁴為甲基或叔丁基。

20.根據權利要求14的方法，其中R¹和/或R⁴為甲基或叔丁基。