[發(fā)明專利]硅二次電池在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580039508.5 | 申請日： | 2015-07-21 |
| 公開（公告）號： | CN107078349A | 公開（公告）日： | 2017-08-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 柳秉勛;公載景 | 申請（專利權(quán)）人： | 瑞克銳斯株式會社 |
| 主分類號： | H01M10/054 | 分類號： | H01M10/054;H01M4/38;H01M4/58;H01M10/056 |
| 代理公司： | 北京青松知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙)11384 | 代理人： | 鄭青松 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 二次 電池 | ||
1.一種基于使用硅離子而執(zhí)行充電和放電的硅二次電池，其特征在于，包括：
第1硅多層薄膜部，將由第1硅化合物構(gòu)成的多個硅陽極化薄膜層疊層而形成，所述第1硅化合物用于在充電時產(chǎn)生硅陽離子，放電時產(chǎn)生硅陰離子；
第2硅多層薄膜部，將由第2硅化合物構(gòu)成的多個硅陰極化薄膜層疊層而形成，所述第2硅化合物用于在充電時產(chǎn)生硅陰離子，放電時產(chǎn)生硅陽離子；及
固體電解質(zhì)層，位于所述第1硅多層薄膜部和所述第2硅多層薄膜部之間，用于在充電和放電時，將硅離子傳達到第1硅多層薄膜部和第2硅多層薄膜部之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅二次電池，其特征在于，
在固體電解質(zhì)層和第1硅多層薄膜部之間形成第1中間層，所述第1中間層包含第1硅化合物和固體電解質(zhì)成分。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅二次電池，其特征在于，
所述第1中間層中，第1硅化合物的含量比固體電解質(zhì)成分的含量多。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅二次電池，其特征在于，
所述第1中間層的厚度比所述固體電解質(zhì)層及/或第1硅多層薄膜部的厚度薄。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的硅二次電池，其特征在于，
在所述第1中間層的任意一面或兩面的表面形成有凸起。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅二次電池，其特征在于，
在固體電解質(zhì)層和第2硅多層薄膜部之間形成有第2中間層，所述第2中間層包含第2硅化合物和固體電解質(zhì)成分。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅二次電池，其特征在于，
所述第2中間層中，第2硅化合物的含量比固體電解質(zhì)成分的含量多。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅二次電池，其特征在于，
所述第2中間層的厚度比所述固體電解質(zhì)層及/或第2硅多層薄膜部的厚度薄。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的硅二次電池，其特征在于，
在所述第2中間層的任意一面或兩面的表面形成有凸起。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅二次電池，其特征在于，
所述固體電解質(zhì)層包含聚偏二氟乙烯和聚四氟乙烯中任意一種以上。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的硅二次電池，其特征在于，
所述固體電解質(zhì)層還包含導(dǎo)電性聚合物。
12.一種基于使用硅離子而執(zhí)行充電和放電的硅二次電池，其特征在于，
包括：
陽極活性物質(zhì)層，充電時產(chǎn)生硅陽離子，放電時產(chǎn)生硅陰離子；
陰極活性物質(zhì)層，充電時產(chǎn)生硅陰離子，放電時產(chǎn)生硅陽離子；
固體電解質(zhì)層，位于所述陽極活性物質(zhì)層和陰極活性物質(zhì)層之間，用于在充電和放電時，將硅離子傳達到陽極活性物質(zhì)層和陰極活性物質(zhì)層之間；
在固體電解質(zhì)層和陽極活性物質(zhì)層之間，形成有第1中間層，所述第1中間層包含陽極活性物質(zhì)層成分和固體電解質(zhì)成分。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的硅二次電池，其特征在于，
所述第1中間層中，陽極活性物質(zhì)層成分的含量比固體電解質(zhì)成分的含量多。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的硅二次電池，其特征在于，
所述第1中間層的厚度比所述固體電解質(zhì)層及/或陽極活性物質(zhì)層的厚度薄。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的硅二次電池，其特征在于，
在所述第1中間層的任意一面或兩面的表面形成有凸起。
16.一種基于使用硅離子而執(zhí)行充電和放電的硅二次電池，其特征在于，
包括：
陽極活性物質(zhì)層，充電時產(chǎn)生硅陽離子，放電時產(chǎn)生硅陰離子；
陰極活性物質(zhì)層，充電時產(chǎn)生硅陰離子，放電時產(chǎn)生硅陽離子；
固體電解質(zhì)層，位于所述陽極活性物質(zhì)層和陰極活性物質(zhì)層之間，用于在充電和放電時，將硅離子傳達到陽極活性物質(zhì)層和陰極活性物質(zhì)層之間；
在固體電解質(zhì)層和陰極活性物質(zhì)層之間，形成有第2中間層，所述第2中間層包含陰極活性物質(zhì)層成分和固體電解質(zhì)成分。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的硅二次電池，其特征在于，
所述第2中間層中，陰極活性物質(zhì)層成分的含量比固體電解質(zhì)層成分的含量多。
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