[發明專利]硅酮系密封材料組合物及半導體發光裝置

有效

• 申請號: 201580039479.2
• 申請日: 2015-07-27
• 公開（公告）號: CN106661425B
• 公開（公告）日: 2018-12-21
• 發明（設計）人: 吉川岳;高島正之;增井建太朗
• 申請（專利權）人: 住友化學株式會社
• 主分類號: C08L83/04
• 分類號: C08L83/04;C09K3/10;H01L33/56;C08G77/06;C08G77/44
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 葛凡

1.一種硅酮系密封材料組合物，其包含(A)二官能熱固性硅酮樹脂、(B)具有羥基的多官能熱固性硅酮樹脂、以及(C)固化催化劑，

(A)成分的重均分子量為300～4500，

相對于(A)成分的質量及(B)成分的質量的合計，(B)成分的質量比例為0.5質量％以上且小于100質量％，

(A)成分的重均分子量y、和(B)成分的每100個硅原子中的羥基的個數x滿足下式(F1)及(F2)，

(A)成分的平均官能數為1.7～2.3，

(B)成分的平均官能數為2.5～3.5，并且構成(B)成分的重復單元相對于(B)成分的總質量50質量％以上為三官能型，在光程長度1cm、并且波長600nm時測定出的可見光透射率為70％以上，

y＜－60x+4500…(F1)

x＞0…(F2)。

2.根據權利要求1所述的硅酮系密封材料組合物，其為由包含(A)成分和(B)成分的液狀組合物及包含(C)成分的液狀組合物構成的雙組份型組合物。

3.根據權利要求1或2所述的硅酮系密封材料組合物，其中，

相對于(A)成分及(B)成分的合計質量的(B)成分的比例為20～70質量％。

4.根據權利要求1或2所述的硅酮系密封材料組合物，其中，

相對于(A)成分及(B)成分的合計質量的(C)成分的比例為0.001～3.0質量％。

5.根據權利要求1或2所述的硅酮系密封材料組合物，其中，

(C)成分為磷酸系催化劑。

6.根據權利要求1或2所述的硅酮系密封材料組合物，其中，

(C)成分為作為金屬成分包含選自錫(Sn)、鋅(Zn)、鐵(Fe)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉍(Bi)、鉿(Hf)、釔(Y)、鋁(Al)、硼(B)及鎵(Ga)中的至少一種金屬的有機絡合物或有機酸鹽。

7.根據權利要求1或2所述的硅酮系密封材料組合物，其中，

相對于(A)成分及(B)成分的合計質量還含有0.5～20質量％的(D)不具有羥基的重均分子量300～1500的多官能熱固性硅酮低聚物。

8.一種熒光體片用組合物，其在權利要求1～7中任一項所述的硅酮系密封材料組合物中還包含熒光體。

9.一種熒光體片，其使用權利要求8所述的熒光體片用組合物制成。

10.一種半導體發光裝置，其具有權利要求9所述的熒光體片。

11.一種半導體發光裝置，其具有：

基板、

配置于所述基板上的半導體發光元件、以及

覆蓋所述半導體發光元件的表面地設置的密封部，

所述半導體發光元件由所述基板和所述密封部將周圍包圍地密封，

所述密封部含有包含(A)二官能熱固性硅酮樹脂及(B)具有羥基的多官能熱固性硅酮樹脂的組合物的固化物，

(A)成分的重均分子量為300～4500，

相對于(A)成分的質量及(B)成分的質量的合計，(B)成分的質量比例為0.5質量％以上且小于100質量％，

(A)成分的重均分子量y、和(B)成分的每100個硅原子中的羥基的個數x滿足下式(F1)及(F2)，

(A)成分的平均官能數為1.7～2.3，

在所述密封部中，在從所述密封部的與所述半導體發光元件接觸的表面到所述密封部的與外部氣體接觸的表面的厚度方向的任意的2點比較相對于(A)成分及(B)成分的合計質量的(A)成分的存在比例時，接近與所述半導體發光元件接觸的表面的點的所述(A)成分的存在比例為與接近與所述外部氣體接觸的表面的點的所述(A)成分的存在比例同等程度以上，

y＜－60x+4500…(F1)

x＞0…(F2)。