[發明專利]具有充電時間降低添加劑和功函數改良劑的電容器

有效

• 申請號: 201580039448.7
• 申請日: 2015-05-20
• 公開（公告）號: CN106663542B
• 公開（公告）日: 2019-01-08
• 發明（設計）人: 安東尼·P·查科;史亞茹;羅伯特·拉姆斯博頓;約翰·T·基納德;約翰·約瑟夫·奧爾斯
• 申請（專利權）人: 凱米特電子公司
• 主分類號: H01G9/048
• 分類號: H01G9/048;H01G9/15
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 王靜;丁業平

1.一種電容器，包括：

陽極；

陰極，其包括：

導電聚合物層；和

鄰近所述導電聚合物層的功函數改良劑層，其中所述功函數改良劑層在所述導電聚合物層和相鄰的導電聚合物層之間；以及

在所述陽極和所述陰極之間的電介質層，并且

其中所述功函數改良劑層包含能夠降低所述導電聚合物層的功函數的功函數改良劑。

2.根據權利要求1所述的電容器，還包括在所述電介質層和所述導電聚合物層之間的第二功函數改良劑層。

3.根據權利要求1所述的電容器，其中所述電容器的CV為至少400μF·V。

4.根據權利要求1所述的電容器，其充電時間不超過理論充電時間的1.5倍。

5.根據權利要求4所述的電容器，其充電時間不超過所述理論充電時間的1.2倍。

6.根據權利要求5所述的電容器，其中所述充電時間不超過所述理論充電時間的1倍。

7.根據權利要求1所述的電容器，其中所述導電聚合物層包含聚陰離子。

8.根據權利要求7所述的電容器，其中所述聚陰離子為聚苯乙烯磺酸。

9.根據權利要求1所述的電容器，其中所述功函數改良劑將所述功函數降低至少0.1eV至不超過1eV。

10.根據權利要求1所述的電容器，其中所述功函數改良劑將所述功函數降低至不超過0.5eV。

11.根據權利要求1所述的電容器，其中所述功函數改良劑的粒徑為至少10nm至不超過100nm。

12.根據權利要求11所述的電容器，其中所述功函數改良劑的粒徑為至少20nm至不超過40nm。

13.根據權利要求1所述的電容器，其中所述功函數改良劑為無機氧化物。

14.根據權利要求13所述的電容器，其中所述無機氧化物選自氧化鋅、氧化鈰、氧化銦和氧化錳。

15.根據權利要求1所述的電容器，其中所述功函數改良劑為有機金屬化合物。

16.根據權利要求15所述的電容器，其中所述有機金屬化合物為有機鈦酸酯。

17.根據權利要求16所述的電容器，其中所述有機鈦酸酯選自由以下化合物構成的組：二烷氧基酰基鈦酸酯、三烷氧基酰基鈦酸酯、烷氧基三酰基鈦酸酯、烷氧基鈦酸酯、以及它們的衍生物。

18.根據權利要求17所述的電容器，其中所述烷氧基鈦酸酯為新烷氧基鈦酸酯。

19.根據權利要求18所述的電容器，其中所述新烷氧基鈦酸酯為具有以下基團的新烷氧基鈦酸酯：鈦IV 2,2(雙2-丙烯醇根甲基)丁醇根、三新癸酸根-O；鈦IV 2,2(雙2-丙烯醇根甲基)丁醇根、三(十二烷基)苯磺酸根-O；鈦IV 2,2(雙2-丙烯醇根甲基)丁醇根、三(二辛基)磷酸根-O；鈦IV 2,2(雙2-丙烯醇甲基)三(二辛基)焦磷酸丁醇根-O；鈦IV 2,2(雙2-丙烯醇根甲基)丁醇根、三(2-乙二胺基)乙醇根；鈦IV 2,2(雙2-丙烯醇根甲基)丁醇根、三(3-氨基)苯氧根。

20.根據權利要求1所述的電容器，其中所述功函數改良劑為具有反應性官能團的有機化合物。