[發(fā)明專利]碳化硅半導(dǎo)體裝置的制造方法以及碳化硅半導(dǎo)體裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580039339.5 | 申請日： | 2015-12-16 |
| 公開（公告）號： | CN106536793B | 公開（公告）日： | 2019-04-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 宮崎正行 | 申請（專利權(quán)）人： | 富士電機(jī)株式會社 |
| 主分類號： | C30B29/36 | 分類號： | C30B29/36;B24B37/10;C30B25/20;C30B33/02;C30B33/08;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 楊敏;金玉蘭 |
| 地址： | 日本神奈*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 碳化硅 半導(dǎo)體 裝置 制造 方法 以及 | ||
【權(quán)利要求書】：
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