[發明專利]在CMP后使用的清潔組合物及其相關方法

有效

• 申請號: 201580039131.3
• 申請日: 2015-07-17
• 公開（公告）號: CN106661518B
• 公開（公告）日: 2020-01-14
• 發明（設計）人: R.伊萬諾夫;柯政遠;F.孫
• 申請（專利權）人: 嘉柏微電子材料股份公司
• 主分類號: C11D7/26
• 分類號: C11D7/26;C11D7/32;C11D7/36;C11D7/04;H01L21/304
• 代理公司: 11105 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 孫梵

1.一種組合物，其用于在化學機械拋光后自半導體晶片清潔污染物，該組合物包含：

(a)大體積保護配體，該大體積保護配體為三羥乙基甲基氫氧化銨(THEMAH)，其以基于該組合物的總重量0.01重量％至0.2重量％的量存在，

(b)有機胺，該有機胺為單乙醇胺(MEA)，其以基于該組合物的總重量0.005重量％至0.12重量％的量存在，

(c)雙重有機抑制劑，其中該有機抑制劑為碳酰肼(CHZ)與二乙基羥胺(DEHA)的組合，其中，碳酰肼(CHZ)以基于該組合物的總重量0.002重量％至0.12重量％的量存在，及二乙基羥胺(DEHA)以基于該組合物的總重量0.002重量％至0.06重量％的量存在，及

(d)水，其以99.5wt.％至99.98wt.％的量存在，

其中該組合物具有10至13的pH。

2.如權利要求1所述的組合物，其中該大體積保護配體對該有機胺的重量比大于或等于1:1。

3.如權利要求1所述的組合物，其中所述污染物包括磨料粒子、有機殘余物、金屬離子、拋光墊碎片、CMP副產物或其任意組合。

4.如權利要求1所述的組合物，其中該大體積保護配體對該有機胺的重量比為1:1至10:1。

5.如權利要求4所述的組合物，其中該大體積保護配體對該有機胺的重量比為1:1至3:1。

6.如權利要求4所述的組合物，其中該大體積保護配體對該有機胺的重量比為2.5:1。

7.一種清潔方法，其包含(a)提供具有由半導體晶片的化學機械拋光產生的污染物的半導體晶片，及(b)使該半導體晶片表面與如權利要求1至6中任一項所述的組合物接觸，以自該半導體晶片表面移除至少一些所述污染物。

8.如權利要求7所述的方法，其中所述污染物包括磨料粒子、有機殘余物、金屬離子、墊碎片及CMP副產物或其任意組合。

9.如權利要求7或8所述的方法，其中該晶片為包含低-k介電材料及金屬導體的半導體晶片。

10.一種拋光及清潔半導體晶片表面的方法，其包含：

(a)提供拋光墊、化學機械拋光組合物及半導體晶片；

(b)使該半導體晶片與該拋光墊及該拋光組合物接觸；

(c)使該拋光墊相對于該半導體晶片表面移動，其間具有該拋光組合物，以研磨該半導體晶片的該表面并藉此拋光該晶片的該表面，如此該晶片的該拋光表面含有來自該化學機械拋光組合物的污染物；及

(d)使含有污染物的該半導體晶片的該拋光表面與如權利要求1至6中任一項所述的組合物接觸，以自該半導體晶片的該拋光表面移除至少一些所述污染物。