[發明專利]有機半導體薄膜的形成方法、以及使用該方法的有機半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201580038837.8
• 申請日: 2015-07-14
• 公開（公告）號: CN106796987B
• 公開（公告）日: 2019-03-01
• 發明（設計）人: 酒井正俊;工藤一浩;貞光雄一
• 申請（專利權）人: 日本化藥株式會社
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L21/336;H01L21/368;H01L29/786;H01L51/40
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 胡嵩麟;王海川

1.一種有機半導體器件的制造方法，其為包含有機半導體薄膜的有機半導體器件的制造方法，其特征在于，

所述有機半導體器件為有機薄膜晶體管，

所述有機薄膜晶體管為有機場效應晶體管，所述有機場效應晶體管在基材上具備：以相互隔開的方式設置的源極和漏極、設置在所述源極與所述漏極之間的含有包含有機半導體材料的有機半導體薄膜的半導體層、以與所述半導體層相對的方式設置的柵極、以及設置在所述半導體層與所述柵極之間的絕緣層；

所述制造方法包括：在形成有機半導體薄膜前將有機半導體材料配置在所述基材上的配置工序，

通過以下方法形成有機半導體薄膜：對有機半導體材料一邊施加壓力一邊賦予超聲波振動，由此將有機半導體材料制成薄膜。

2.根據權利要求1所述的有機半導體器件的制造方法，其特征在于，

通過對有機半導體材料一邊施加壓力一邊賦予超聲波振動而使固相的有機半導體材料發生相變，然后使有機半導體材料重結晶，由此將有機半導體材料制成薄膜。

3.根據權利要求1所述的有機半導體器件的制造方法，其特征在于，

在對有機半導體材料賦予超聲波振動的同時，對有機半導體材料進行傳導加熱。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的有機半導體器件的制造方法，其特征在于，

對夾在一對基材之間的有機半導體材料一邊施加壓力一邊賦予超聲波振動。

5.根據權利要求4所述的有機半導體器件的制造方法，其特征在于，

所述一對基材為樹脂膜。

6.根據權利要求1～3、5中任一項所述的有機半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述配置工序中，對于在所述基材上設置有所述源極和漏極的所述基材，將有機半導體材料以固體狀態或熔融狀態配置在所述基材上的所述源極與所述漏極之間的區域或其附近。

7.根據權利要求4所述的有機半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述配置工序中，對于在所述基材上設置有所述源極和漏極的所述基材，將有機半導體材料以固體狀態或熔融狀態配置在所述基材上的所述源極與所述漏極之間的區域或其附近。

8.根據權利要求1～3、5中任一項所述的有機半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述配置工序中，對于在所述基材上設置有所述源極和漏極的所述基材，將含有有機半導體材料的溶液涂布在所述基材上，然后進行干燥，由此將有機半導體材料配置在所述基材上的所述源極與所述漏極之間的區域或其附近。

9.根據權利要求4所述的有機半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述配置工序中，對于在所述基材上設置有所述源極和漏極的所述基材，將含有有機半導體材料的溶液涂布在所述基材上，然后進行干燥，由此將有機半導體材料配置在所述基材上的所述源極與所述漏極之間的區域或其附近。