[發(fā)明專利]支承玻璃基板及使用其的層疊體

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580038593.3
• 申請(qǐng)日: 2015-08-27
• 公開（公告）號(hào): CN106660855A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鈴木良太
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日本電氣硝子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C03C3/085
• 分類號(hào): C03C3/085;C03C3/087;C03C3/091;C03C3/093
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021
• 代理人: 張玉玲

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及支承玻璃基板及使用其的層疊體，具體而言，涉及在半導(dǎo)體封裝體的制造工序中用于加工基板的支承的支承玻璃基板及使用其的層疊體。

背景技術(shù)

對(duì)于手機(jī)、筆記本型個(gè)人電腦、PDA(Personal Data Assistance，個(gè)人數(shù)字化處理器)等便攜型電子設(shè)備，要求小型化及輕量化。與此相伴的是，這些電子設(shè)備中使用的半導(dǎo)體芯片的安裝空間也受到嚴(yán)格限制，半導(dǎo)體芯片的高密度安裝成為課題。因此，近年來，通過三維安裝技術(shù)、即將半導(dǎo)體芯片彼此層疊并對(duì)各半導(dǎo)體芯片間進(jìn)行布線連接而尋求半導(dǎo)體封裝體的高密度安裝。

此外，目前的晶片級(jí)封裝(WLP)是以晶片的狀態(tài)形成凸塊后通過切割單片化而制作的。但是，目前的WLP存在難以增加針數(shù)、以及在半導(dǎo)體芯片的背面露出的狀態(tài)進(jìn)行安裝，因此半導(dǎo)體芯片容易產(chǎn)生缺口等問題。

因此，作為新型的WLP，提出了散出(fan out)型的WLP。散出型的WLP能夠使針數(shù)增加，此外，能夠通過保護(hù)半導(dǎo)體芯片的端部而防止半導(dǎo)體芯片的缺口等。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的課題

就散出型的WLP而言，具有：將多個(gè)半導(dǎo)體芯片用樹脂密封材料密封而形成加工基板后，在加工基板的一個(gè)表面進(jìn)行布線的工序；和形成焊料凸塊的工序；等。

這些工序由于伴隨有約200℃的熱處理，因此有密封材料變形、發(fā)生加工基板的尺寸變化之虞。發(fā)生加工基板的尺寸變化時(shí)，對(duì)加工基板的一個(gè)表面進(jìn)行高密度布線變得困難，此外也難以正確地形成焊料凸塊。

為了抑制加工基板的尺寸變化，使用用于支承加工基板的支承基板是有效的。但是，即使是使用支承基板的情況下，也存在發(fā)生加工基板的尺寸變化的情況。

本發(fā)明是鑒于上述情況而作出的，其技術(shù)課題在于，通過創(chuàng)制出不易發(fā)生加工基板的尺寸變化的支承基板及使用其的層疊體，從而有助于半導(dǎo)體封裝體的高密度安裝。

用于解決課題的手段

本發(fā)明人反復(fù)進(jìn)行了各種實(shí)驗(yàn)，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過在選擇玻璃基板作為支承基板時(shí)嚴(yán)密地規(guī)定該玻璃基板的熱膨脹系數(shù)，從而能夠解決上述技術(shù)課題，由此提出了本發(fā)明。即，本發(fā)明的支承玻璃基板，其特征在于，在20～200℃的溫度范圍內(nèi)的平均線性熱膨脹系數(shù)超過81×10^－7/℃且為110×10^－7/℃以下。其中，“20～200℃的溫度范圍內(nèi)的平均線性熱膨脹系數(shù)”可以通過膨脹計(jì)來測(cè)定。

玻璃基板容易對(duì)表面進(jìn)行平滑化、且具有剛性。因此，使用玻璃基板作為支承基板時(shí)，可以使加工基板堅(jiān)固、且準(zhǔn)確地進(jìn)行。此外，玻璃基板容易透過紫外光、紅外光等光。因此，使用玻璃基板作為支承基板時(shí)，通過用紫外線固化型粘合劑等設(shè)置粘接層等，可以容易地將加工基板和支承玻璃基板固定。此外，通過設(shè)置吸收紅外線的剝離層等，還可以容易地將加工基板和支承玻璃基板分離。作為另一方式，通過用紫外線固化型膠帶等設(shè)置粘接層等，可以容易將地將加工基板和支承玻璃基板分離。

此外規(guī)定，本發(fā)明的支承玻璃基板在20～200℃的溫度范圍內(nèi)的平均線性熱膨脹系數(shù)超過81×10^－7/℃且為110×10^－7/℃以下。由此，在加工基板內(nèi)半導(dǎo)體芯片的比例少、密封材料的比例多時(shí)，加工基板和支承玻璃基板的熱膨脹系數(shù)變得容易匹配。并且，在兩者的熱膨脹系數(shù)匹配時(shí)，在加工處理時(shí)，加工基板的尺寸變化(特別是翹曲變形)變得容易控制。結(jié)果是，可以對(duì)加工基板的一個(gè)表面進(jìn)行高密度布線，此外還可以準(zhǔn)確地形成焊料凸塊。

第二，本發(fā)明的支承玻璃基板，其特征在于，在30～380℃的溫度范圍內(nèi)的平均線性熱膨脹系數(shù)超過85×10^－7/℃且為115×10^－7/℃以下。其中，“30～380℃的溫度范圍內(nèi)的平均線性熱膨脹系數(shù)”可以通過膨脹計(jì)來測(cè)定。

第三，本發(fā)明的支承玻璃基板優(yōu)選在半導(dǎo)體封裝體的制造工序中用于加工基板的支承。

第四，本發(fā)明的支承玻璃基板優(yōu)選是通過溢流下拉法成型而成的。

第五，本發(fā)明的支承玻璃基板優(yōu)選楊氏模量為65GPa以上。其中，“楊氏模量”是指通過彎曲共振法測(cè)定的值。需要說明的是，1GPa相當(dāng)于約101.9Kgf/mm²。