[發(fā)明專利]基板處理裝置以及基板處理方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580038502.6
• 申請日: 2015-07-28
• 公開（公告）號: CN106715751B
• 公開（公告）日: 2019-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 藤長徹志;井堀敦仁;松本昌弘;谷典明;巖井治憲
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社愛發(fā)科
• 主分類號: C23C14/50
• 分類號: C23C14/50;C23C14/34
• 代理公司: 上海和躍知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31239
• 代理人: 余文娟

基板處理裝置(10)具備：等離子生成部，其在配置基板(1)的等離子生成空間生成工藝氣體的等離子；冷卻部(20)，其隔著冷卻空間(55)與基板相對，并具有向冷卻空間供給工藝氣體的供給口(26)；工藝氣體供給部(30)，其向冷卻部(20)供給工藝氣體；以及連通部(56)，其連通冷卻空間(55)和等離子生成空間，用于將被供給到冷卻空間的工藝氣體供給到等離子生成空間。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及對基板的兩面進(jìn)行處理的基板處理裝置以及基板處理方法。

背景技術(shù)

近年來，為了實(shí)現(xiàn)電子設(shè)備的輕量化、薄型化等，在安裝有電子部件的安裝基板等中逐漸采用例如薄膜狀的基板。

諸如薄膜狀的基板這樣的薄型基板與以前普遍采用的玻璃基板等相比，耐熱性低。例如，在通過濺射法對薄型基板進(jìn)行成膜的情況下，高能量的濺射粒子到達(dá)基板表面，從而使基板表面的溫度上升。當(dāng)基板表面的溫度超過基板材料的容許溫度時(shí)，有可能導(dǎo)致基板的變形等，因此在對薄型基板進(jìn)行成膜的情況下，需要在不超過基板材料的容許溫度的溫度范圍進(jìn)行成膜。

作為對薄型基板進(jìn)行冷卻的機(jī)構(gòu)，已知有例如使冷卻輥面接觸到基板的背面的機(jī)構(gòu)(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2009-155704號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明所要解決的課題

但是，例如在進(jìn)行兩面成膜的情況下等，需要抑制異物附著到基板的兩面上。如上所述，在使冷卻輥和基板面接觸而對基板進(jìn)行冷卻的情況下，異物容易附著到與冷卻輥接觸的基板背面。另外，這樣的課題不僅限于將薄型基板作為處理對象的裝置，而且在需要冷卻基板的基板處理裝置中也是大致共通的。

本發(fā)明的目的在于提供一種，能抑制異物附著到基板并能對基板進(jìn)行冷卻的基板處理裝置以及基板處理方法。

用于解決課題的手段

本發(fā)明的一個(gè)方式為基板處理裝置。基板處理裝置具備：等離子生成部，在配置基板的等離子生成空間生成工藝氣體的等離子；冷卻部，其隔著冷卻空間與所述基板相對，并具有向所述冷卻空間供給所述工藝氣體的供給口；工藝氣體供給部，其向所述冷卻部供給所述工藝氣體；以及連通部，其連通所述冷卻空間和所述等離子生成空間，用于將被供給到所述冷卻空間的所述工藝氣體供給到所述等離子生成空間。

本發(fā)明的另一個(gè)方式為基板處理方法。基板處理方法包括如下步驟：在等離子生成空間配置基板的步驟：以及一邊通過從隔著冷卻空間與所述基板相對的冷卻部向所述冷卻空間供給所述工藝氣體來冷卻所述基板，一邊通過將被供給到所述冷卻空間中的所述工藝氣體經(jīng)由所述基板和所述冷卻部之間的間隙而供給到所述等離子生成空間并生成所述工藝氣體的等離子，從而進(jìn)行基板處理的步驟。

根據(jù)上述基板處理裝置或者是基板處理方法，由于能利用被供給到冷卻部與基板之間的冷卻空間的氣體來冷卻基板，所以與通過基板和冷卻部的面接觸而進(jìn)行的冷卻相比，能抑制異物附著到基板。此外，冷卻用氣體是以等離子為原料氣體的工藝氣體，并且經(jīng)由冷卻空間供給到等離子生成空間。因此，冷卻用氣體還可以作為等離子生成用氣體有效地利用。

在上述基板處理裝置中，優(yōu)選地，所述冷卻部包括底座部，在該底座部形成有包括所述供給口的氣體流道，所述基板處理裝置進(jìn)一步具備與所述底座部連接的冷卻源。

根據(jù)上述構(gòu)成，由于底座部被冷卻源冷卻，所以通過該底座部的氣體流道的工藝氣體也被冷卻。因此，能提高基板的冷卻效果。

在上述基板處理裝置中，優(yōu)選地，所述供給口是相對于所述冷卻部的基板相對面的中心點(diǎn)對稱配置的多個(gè)供給口中的一個(gè)。