[發明專利]差分晶體振蕩器電路

在審

• 申請號: 201580038394.2
• 申請日: 2015-06-16
• 公開（公告）號: CN106664058A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: Y·拉亞維;A·卡沃西恩;A·科哈利利;M·B·瓦希德法爾;A·科米加尼
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H03B5/06
• 分類號: H03B5/06;H03B5/36
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 王茂華,張寧

1.一種差分晶體振蕩器電路，包括：

第一輸出端子和第二輸出端子；

交叉耦合的振蕩單元，包括交叉耦合至所述第一輸出端子和所述第二輸出端子的第一晶體管和第二晶體管；

第一金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)二極管和第二金屬氧化物半導體場效應晶體管二極管，每個MOSFET二極管包括連接在柵極端子和漏極端子之間的電阻器，

其中所述第一MOSFET二極管耦合至所述第一晶體管以向所述第一晶體管提供在低頻時的低阻抗負載和在較高頻時的高阻抗負載，

其中所述第二MOSFET二極管耦合至所述第二晶體管以向所述第二晶體管提供在低頻時的低阻抗負載和在較高頻時的高阻抗負載；以及

參考諧振器，耦合在所述第一輸出端子和所述第二輸出端子之間以建立振蕩頻率。

2.根據權利要求1所述的電路，其中，所述第一MOSFET二極管和所述第二MOSFET二極管分別被配置作為第一p溝道MOSFET(PMOS)二極管和第二p溝道MOSFET二極管。

3.根據權利要求2所述的電路，進一步包括：

電流源，所述電流源耦合至所述第一PMOS二極管和所述第二PMOS二極管的源極端子并且耦合至電源電壓。

4.根據權利要求1所述的電路，其中，所述第一MOSFET二極管和所述第二MOSFET二極管的源極端子耦合至電源電壓。

5.根據權利要求1所述的電路，其中，所述第一晶體管和所述第二晶體管被配置作為n溝道MOSFET(NMOS)晶體管。

6.根據權利要求5所述的電路，其中，所述NMOS晶體管的源極端子耦合至接地電壓。

7.根據權利要求1所述的電路，其中，所述第一MOSFET二極管和所述第二MOSFET二極管的漏極端子耦合至所述第一晶體管和所述第二晶體管的漏極端子。

8.根據權利要求1所述的電路，其中，所述第一MOSFET二極管和所述第二MOSFET二極管分別被配置作為第一n溝道MOSFET(NMOS)二極管和第二n溝道MOSFET二極管。

9.根據權利要求8所述的電路，其中，所述第一NMOS二極管和所述第二NMOS二極管的源極端子耦合至所述第一晶體管和所述第二晶體管的源極端子并且耦合至接地電壓。

10.根據權利要求9所述的電路，進一步包括：

第一電流源和第二電流源，耦合至所述第一NMOS二極管和所述第二NMOS二極管的漏極端子以及所述第一晶體管和所述第二晶體管的漏極端子，

其中所述第一電流源和所述第二電流源也耦合至電源電壓。

11.一種產生在差分振蕩器電路的輸出端子處的振蕩頻率的方法，所述方法包括：

使用晶體管的交叉耦合配對以及耦合在所述輸出端子之間的參考諧振器產生所述振蕩頻率；

使用耦合至所述晶體管的交叉耦合配對的MOSFET二極管產生在低頻時的低阻抗負載以及在高頻時的高阻抗負載，

其中所述MOSFET二極管中的每一個包括連接在柵極端子和漏極端子之間的電阻器。

12.根據權利要求11所述的方法，進一步包括：

在所述MOSFET二極管和電源電壓之間耦合電流源。

13.根據權利要求11所述的方法，進一步包括：

將所述晶體管的交叉耦合的配對耦合至接地電壓。

14.根據權利要求11所述的方法，進一步包括：

在電源電壓與所述MOSFET二極管和所述晶體管的交叉耦合配對的并聯組合之間耦合電流源配對。

15.一種用于產生在差分振蕩器電路的輸出端子處的振蕩頻率的設備，所述設備包括：

用于通過驅動耦合在所述輸出端子之間的參考諧振器產生所述振蕩頻率的裝置；

用于生成在低頻時的低阻抗負載以及在高頻時的高阻抗負載的裝置，

其中所述用于生成的裝置耦合至所述用于產生的裝置。

16.根據權利要求15所述的設備，進一步包括：

用于向所述用于生成的裝置提供電流的裝置。

17.根據權利要求15所述的設備，進一步包括：

用于將所述用于產生的裝置耦合至接地電壓的裝置。

18.根據權利要求15所述的設備，進一步包括：

用于向所述用于產生的裝置并且向所述用于生成的裝置提供電流的裝置。