[發(fā)明專利]用于制備用于微組裝的GaN及相關(guān)材料的系統(tǒng)及方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201580037701.5 | 申請(qǐng)日: | 2015-06-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107078094B | 公開(公告)日: | 2020-04-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 克里斯托弗·鮑爾;馬修·邁托 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 艾克斯瑟樂普林特有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/78 | 分類號(hào): | H01L21/78;H01L23/00;H01L25/00;H01L33/00;H01L33/22;H01L33/44 |
| 代理公司: | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人: | 劉鋒 |
| 地址: | 愛爾*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 制備 組裝 gan 相關(guān) 材料 系統(tǒng) 方法 | ||
1.一種從硅同質(zhì)裝置襯底制備經(jīng)釋放或可釋放結(jié)構(gòu)的方法,所述方法包括:
在包括Si(111)的同質(zhì)裝置襯底上沉積以下各項(xiàng)中的至少一者:GaN、AlGaN、InGaN、InGaAlN及SiN,借此形成外延材料;
使用所述外延材料在所述同質(zhì)裝置襯底上形成裝置;
通過從所述外延材料圍繞所述裝置的至少一部分中移除所述外延材料的至少一部分而形成包括所述裝置的可釋放結(jié)構(gòu),借此部分地暴露所述同質(zhì)裝置襯底;
形成錨定結(jié)構(gòu)及拴系結(jié)構(gòu),所述錨定結(jié)構(gòu)及拴系結(jié)構(gòu)至少部分與所述裝置背離所述同質(zhì)裝置襯底的一側(cè)接觸且至少部分地與所述同質(zhì)裝置襯底接觸;
用蝕刻劑將在所述可釋放結(jié)構(gòu)下方的硅材料移除以形成將所述可釋放結(jié)構(gòu)連接至所述錨定結(jié)構(gòu)的所述拴系結(jié)構(gòu),借此形成包括所述裝置的可印刷結(jié)構(gòu),其中通過所述拴系結(jié)構(gòu)及所述錨定結(jié)構(gòu)維持所述可印刷結(jié)構(gòu)的位置和定向;及
將所述同質(zhì)裝置襯底及通過錨定結(jié)構(gòu)及拴系結(jié)構(gòu)連接到所述同質(zhì)裝置襯底的所述可印刷結(jié)構(gòu)暴露于一或多種化學(xué)試劑中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中將所述同質(zhì)裝置襯底及所述可印刷結(jié)構(gòu)暴露于一或多種化學(xué)試劑包括暴露于經(jīng)加熱的磷酸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,其中將所述同質(zhì)裝置襯底及所述可印刷結(jié)構(gòu)暴露于一或多種化學(xué)試劑會(huì)將表面粗糙度賦予新暴露的表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,其中所述蝕刻劑是用于執(zhí)行各向異性硅蝕刻的堿性溶液。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,其中所述蝕刻劑是經(jīng)加熱的氫氧化四鉀基銨、氫氧化鉀、或氫氧化鈉。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,其中形成裝置包括沉積及/或圖案化電介質(zhì)及/或?qū)щ姳∧ぁ?/p>
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,其中在所述外延材料中形成所述錨定結(jié)構(gòu)及拴系結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,其中所述錨定及拴系結(jié)構(gòu)是由非外延材料形成的。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,其包括在所述同質(zhì)裝置襯底上沉積氮化硅和氧化硅中的一種或多種。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,其包括形成一或多個(gè)囊封結(jié)構(gòu)以囊封所述可印刷結(jié)構(gòu)的至少一部分。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,其包括:
在移除在所述結(jié)構(gòu)下方的硅材料之前,在經(jīng)暴露硅中形成凹部。
12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,其中在經(jīng)暴露硅中形成凹部包括蝕刻所述經(jīng)暴露硅。
13.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,其包括:微轉(zhuǎn)印印刷所述可印刷結(jié)構(gòu)中的一或多個(gè)可印刷子結(jié)構(gòu)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法,其中所述微轉(zhuǎn)印印刷包括:
使所述可印刷結(jié)構(gòu)中的一或多個(gè)可印刷結(jié)構(gòu)與具有接觸表面的保形轉(zhuǎn)印裝置接觸,其中所述接觸表面與所述一或多個(gè)可印刷結(jié)構(gòu)之間的接觸將所述一或多個(gè)可印刷結(jié)構(gòu)粘附到所述接觸表面;
使安置在所述接觸表面上的所述一或多個(gè)可印刷結(jié)構(gòu)與目的地襯底的接納表面接觸;及
使所述保形轉(zhuǎn)印裝置的所述接觸表面與所述一或多個(gè)可印刷結(jié)構(gòu)分離,其中將所述一或多個(gè)可印刷結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)印到所述接納表面上,借此將所述一或多個(gè)可印刷結(jié)構(gòu)組裝在所述目的地襯底的所述接納表面上。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法,其中所述保形轉(zhuǎn)印裝置是彈性體印模。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





