[發明專利]圖像傳感器的單位像素及其受光元件有效
| 申請號: | 201580037458.7 | 申請日: | 2015-07-01 |
| 公開(公告)號: | CN106663689B | 公開(公告)日: | 2019-07-02 |
| 發明(設計)人: | 金勛 | 申請(專利權)人: | 金勛 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京華旭智信知識產權代理事務所(普通合伙) 11583 | 代理人: | 馮云 |
| 地址: | 新加坡*** | 國省代碼: | 新加坡;SG |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖像傳感器 單位 像素 及其 元件 | ||
1.一種靈敏度調整受光元件,其特征在于,包括:
吸收光的受光部;
通過氧化膜與所述受光部分離的源極和漏極;
形成于所述源極與漏極之間并在所述源極與漏極之間產生電流流動的通道;及
向所述受光部施加電壓的靈敏度調整終端,
所述受光部被摻雜第1類雜質,所述源極和漏極被摻雜第2類雜質,通過由入射到所述受光部的光激發的電子隧穿到所述源極或漏極而產生的所述受光部的電荷量變化來控制所述通道的電流流動,并且控制通過所述靈敏度調整終端所施加的電壓,以調整所述通道的閾值電壓。
2.根據權利要求1所述的靈敏度調整受光元件,其特征在于,
通過調整由所述靈敏度調整終端所施加的電壓來調整所述通道的費米能級與本征能級的間隔,從而調整所述閾值電壓。
3.根據權利要求1所述的靈敏度調整受光元件,其特征在于,
所述源極和漏極形成于被摻雜有第1類雜質的阱上,所述阱為浮動狀態。
4.根據權利要求1所述的靈敏度調整受光元件,其中,
所述靈敏度調整終端調整施加到所述受光部的電壓的大小來調整所述受光部的靈敏度。
5.根據權利要求1所述的靈敏度調整受光元件,其中,
所述隧穿在所述源極和漏極中的任意一個與所述受光部之間的氧化膜區域中產生。
6.根據權利要求1所述的靈敏度調整受光元件,其中,
所述靈敏度調整終端向所述受光部施加設定電壓以上的電壓以使所述受光部復位。
7.一種圖像傳感器的單位像素,其中,包括:
受光元件,利用由入射光引起的電荷量的變化而產生電流流動;及
選擇元件,將在所述受光元件中產生的電流輸出到單位像素輸出端,
所述受光元件包括:吸收光的受光部;通過氧化膜與所述受光部分離的源極和漏極;形成于所述源極和漏極之間并在所述源極與漏極之間產生電流流動的通道;及向所述受光部施加電壓的靈敏度調整終端,所述受光元件是根據由入射到所述受光部的光激發的電子隧穿到所述源極或漏極而引起的所述受光部的電荷量的變化,控制所述通道中的電流流動,并且所述受光元件調整通過所述靈敏度調整終端所施加的電壓來調整所述通道的閾值電壓。
8.根據權利要求7所述的圖像傳感器的單位像素,其中,
所述選擇元件包括:分別連接于所述受光元件和單位像素輸出端的漏極和源極;及從外部施加選擇信號的柵極,根據所述施加的選擇信號執行切換操作。
9.根據權利要求7所述的圖像傳感器的單位像素,其中,
所述受光元件調整通過所述靈敏度調整終端所施加的電壓,以通過調整所述通道的費米能級與本征能級的間距來調整閾值電壓。
10.根據權利要求7所述的圖像傳感器的單位像素,其中,
所述受光元件的源極和所述選擇元件的漏極形成于同一有源區域上。
11.根據權利要求7所述的圖像傳感器的單位像素,其中,
所述受光元件根據入射光量調整向所述靈敏度調整終端施加的電壓,以抑制基于光電流量的急劇增加而引起的影像飽和。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





