[發(fā)明專利]用于使用感測電路執(zhí)行異或操作的設(shè)備及方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580037271.7
• 申請日: 2015-06-03
• 公開（公告）號: CN107004434B
• 公開（公告）日: 2019-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 卓依·A·曼寧
• 申請（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C7/06
• 分類號: G11C7/06;G11C7/10
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 路勇

1.一種方法，其包括：

使用耦合到存儲器單元陣列的一對互補感測線的感測電路確定存儲于耦合到所述一對互補感測線中的第一感測線的若干個存儲器單元中的數(shù)據(jù)的異或XOR值，其是在不使用輸入/輸出線傳送來自所述陣列的所述數(shù)據(jù)的情況下進行，其中確定所述XOR值包括：

對以下各項執(zhí)行AND操作：

對存儲于耦合到所述第一感測線的第一存儲器單元中的第一數(shù)據(jù)值及存儲于耦合到所述第一感測線的第二存儲器單元中的第二數(shù)據(jù)值執(zhí)行的NAND操作的結(jié)果值；及

對所述第一數(shù)據(jù)值及所述第二數(shù)據(jù)值執(zhí)行的OR操作的結(jié)果值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中執(zhí)行所述NAND操作包含：

使所述感測電路的計算組件加載有所述第一數(shù)據(jù)值；

啟用所述第二存儲器單元耦合到的存取線及第一通過晶體管，此導(dǎo)致對應(yīng)于對所述第一及第二數(shù)據(jù)值執(zhí)行的AND操作的結(jié)果值存儲于所述計算組件中，其中所述第一通過晶體管具有耦合到所述第一感測線的第一源極/漏極區(qū)域；及

使存儲于所述計算組件中的所述結(jié)果值反轉(zhuǎn)，所述經(jīng)反轉(zhuǎn)的結(jié)果值是所述NAND操作的所述結(jié)果值。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中使存儲于所述計算組件中的所述結(jié)果值反轉(zhuǎn)包括：

啟用耦合到所述感測電路的交叉耦合鎖存器和耦合到所述一對互補感測線中的一者的反相晶體管。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中使耦合到所述一對互補感測線的所述計算組件加載有所述第一數(shù)據(jù)值包括啟用所述第一存儲器單元耦合到的第一存取線及所述一對互補感測線。

5.根據(jù)權(quán)利要求2到4中任一項權(quán)利要求所述的方法，其進一步包括將所述NAND操作的所述結(jié)果值寫入到耦合到所述第一感測線的第三存儲器單元。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中對所述NAND操作的所述結(jié)果值及所述OR操作的所述結(jié)果值執(zhí)行所述AND操作包含：

啟用存儲所述NAND操作的所述結(jié)果值的所述第三存儲器單元耦合到的存取線；及

啟用所述第一通過晶體管，此導(dǎo)致對所述NAND操作的所述結(jié)果值及所述OR操作的所述結(jié)果值執(zhí)行的所述AND操作的結(jié)果值存儲于所述計算組件中，其中所述AND操作的所述結(jié)果值是對應(yīng)于所述第一及第二數(shù)據(jù)值的XOR值。

7.根據(jù)權(quán)利要求1到4中任一項權(quán)利要求所述的方法，其中所述感測電路包括感測放大器及計算組件，且其中所述方法包含使所述計算組件加載有所述第一數(shù)據(jù)值。

8.一種設(shè)備，其包括：

存儲器單元陣列，其將數(shù)據(jù)存儲于耦合到感測線的存儲器單元群組中；

控制器，其經(jīng)配置以使用感測電路以在不經(jīng)由輸入/輸出線將數(shù)據(jù)傳送出所述陣列的情況下對所述數(shù)據(jù)執(zhí)行XOR操作，其中所述XOR操作包含：

對存儲于耦合到第一存取線的第一存儲器單元中的數(shù)據(jù)值及存儲于耦合到第二存取線的第二存儲器單元中的數(shù)據(jù)值執(zhí)行的NAND操作，其中所述NAND操作的結(jié)果值存儲于耦合到第三存取線的第三存儲器單元中；

對存儲于所述第一及第二存儲器單元中的所述數(shù)據(jù)值執(zhí)行的OR操作；及

對所述NAND操作的所述結(jié)果值及所述OR操作的結(jié)果值執(zhí)行的AND操作。