[發明專利]兩步沉積法

有效

• 申請號: 201580037211.5
• 申請日: 2015-07-09
• 公開（公告）號: CN107075657B
• 公開（公告）日: 2019-07-09
• 發明（設計）人: 亨利·J·施耐德;加爾斯·E·埃普龍;詹姆斯·M·鮑爾
• 申請（專利權）人: 牛津大學科技創新有限公司
• 主分類號: C23C14/00
• 分類號: C23C14/00;C23C14/06;C23C14/12;C23C14/24;C23C14/58
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 張錚錚;姚開麗

1.一種用于生產晶體材料的層的方法，所述晶體材料包括鈣鈦礦或六鹵代金屬酸鹽，所述方法包括：

(i)使基板于第一腔室中暴露在含第一前體化合物的蒸氣中，以在所述基板上產生所述第一前體化合物的層；以及

(ii)使所述第一前體化合物的層于第二腔室中暴露在含第二前體化合物的蒸氣中，以產生所述晶體材料的層，

其中，所述第一腔室中的壓力小于或等于10^-3毫巴；所述第二腔室中的壓力大于或等于1毫巴；

所述第一前體化合物包括一種或多種第一陽離子，以及一種或多種第一陰離子；以及

所述第二前體化合物包括一種或多種有機陽離子，以及一種或多種第二陰離子。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第二腔室中的壓力大于或等于100毫巴。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，在步驟(i)中，使所述基板暴露在含所述第一前體化合物的定向蒸氣中。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，在步驟(ii)中，使所述第一前體化合物的層暴露在含所述第二前體化合物的非定向蒸氣中。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述晶體材料基本由鈣鈦礦組成或基本由六鹵代金屬酸鹽組成。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述晶體材料包括式(II)的鈣鈦礦：

[A][B][X]₃ (II)

其中：

[A]是至少一種有機單價陽離子；

[B]是至少一種金屬陽離子，其中[B]包括Ca²⁺、Sr²⁺、Cd²⁺、Cu²⁺、Ni²⁺、Mn²⁺、Fe²⁺、Co²⁺、Pd²⁺、Ge²⁺、Sn²⁺、Pb²⁺、Yb²⁺和Eu²⁺中的至少一種；并且

[X]是至少一種鹵素陰離子。

7.根據權利要求6所述的方法，其中，[A]包括至少一種有機陽離子。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，[A]包括選自(CH₃NH₃)⁺、(CH₃CH₂NH₃)⁺、(CH₃CH₂CH₂NH₃)⁺、(N(CH₃)₄)⁺、(H₂N–C(H)＝NH₂)⁺和(H₂N–C(CH₃)＝NH₂)⁺中的一種或多種有機陽離子。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，[A]包括選自(CH₃NH₃)⁺和(H₂N–C(H)＝NH₂)⁺中的一種或多種有機陽離子。

10.根據權利要求6所述的方法，其中，[A]包括至少一種無機陽離子。