[發(fā)明專利]基于代理結構的測量的信號響應計量有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580036717.4 | 申請日: | 2015-07-06 |
| 公開(公告)號: | CN106663646B | 公開(公告)日: | 2021-07-06 |
| 發(fā)明(設計)人: | A·V·舒杰葛洛夫;T·G·奇烏拉;S·I·潘戴夫;L·波斯拉夫斯基 | 申請(專利權)人: | 科磊股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 張世俊 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 代理 結構 測量 信號 響應 計量 | ||
1.一種計量方法,其包括:
接收在一或多個過程變量的值的范圍內重復地制造的一或多個實際裝置結構的一或多個所關注參數(shù)的參考值,其中所述參考值由參考計量系統(tǒng)測量;
提供第一數(shù)量的照明光至安置于所述一或多個實際裝置結構附近的一或多個計量目標;
響應于提供至所述一或多個計量目標的所述第一數(shù)量的照明光,檢測來自所述一或多個計量目標的一定數(shù)量的光,所檢測的一定數(shù)量的光包括第一數(shù)量的光學測量數(shù)據(jù);
接收所述第一數(shù)量的測量數(shù)據(jù),其中所述第一數(shù)量的測量數(shù)據(jù)源自于通過至少一個光學計量系統(tǒng)執(zhí)行的測量,所述至少一個光學計量系統(tǒng)不同于所述參考計量系統(tǒng);及
基于所述第一數(shù)量的測量數(shù)據(jù)及所述一或多個所關注參數(shù)的所述參考值訓練測量模型。
2.根據(jù)權利要求1所述的計量方法,其中所述測量模型的所述訓練涉及:
確定所述一或多個過程變量中的每一者與所述一或多個實際裝置結構的所述一或多個所關注參數(shù)的所述參考值之間的映射。
3.根據(jù)權利要求1所述的計量方法,其中所述測量模型的所述訓練涉及:
基于所述第一數(shù)量的測量數(shù)據(jù)的變換確定所述第一數(shù)量的測量數(shù)據(jù)的多個主特征,所述變換減少所述第一數(shù)量的測量數(shù)據(jù)的維度。
4.根據(jù)權利要求3所述的計量方法,其中所述第一數(shù)量的光學測量數(shù)據(jù)的所述變換涉及主分量分析PCA、獨立分量分析ICA、核PCA、非線性PCA、快速傅里葉變換FFT分析、離散余弦變換DCT分析及小波分析中的任何者。
5.根據(jù)權利要求1所述的計量方法,其中所述測量模型是線性模型、多項式模型、神經(jīng)網(wǎng)絡模型、支持向量機模型、決策樹模型及隨機森林模型中的任何者。
6.根據(jù)權利要求1所述的計量方法,其中所述第一數(shù)量的光學測量數(shù)據(jù)包含通過所述一或多個過程變量的相同值形成的多個不同計量目標的測量的組合。
7.根據(jù)權利要求1所述的計量方法,其中所述第一數(shù)量的光學測量數(shù)據(jù)包含通過多個不同計量技術獲取的測量。
8.根據(jù)權利要求3所述的計量方法,其中所述第一數(shù)量的光學測量數(shù)據(jù)的所述變換涉及:確定來自不同目標的測量的信號之間的差異、來自通過不同計量技術獲取的測量的信號之間的差異、來自不同過程步驟處所獲取的測量的信號之間的差異,或其任何組合。
9.根據(jù)權利要求3所述的計量方法,其中所述第一數(shù)量的光學測量數(shù)據(jù)的所述變換涉及:確定來自不同目標的測量的信號的擬合模型的殘差、來自通過不同計量技術獲取的光學測量的信號的擬合模型的殘差、來自不同過程步驟處所獲取的測量的信號的擬合模型的殘差,或其任何組合。
10.根據(jù)權利要求1所述的計量方法,其中所述計量目標是實際裝置結構。
11.根據(jù)權利要求1所述的計量方法,其中所述一或多個所關注參數(shù)包含邊緣放置距離、邊緣放置誤差及疊加中的任何者。
12.根據(jù)權利要求1所述的計量方法,其中所述參考計量系統(tǒng)包含掃描電子顯微鏡及小角度x射線散射計中的任何一者或組合。
13.根據(jù)權利要求2所述的計量方法,其進一步包括:
接收與安置于一或多個實際裝置結構附近的一或多個計量目標的測量相關聯(lián)的第二數(shù)量的測量數(shù)據(jù),其中所述第二數(shù)量的測量數(shù)據(jù)源自于通過相同的所述至少一個光學計量技術執(zhí)行的測量;
基于第二數(shù)量的測量數(shù)據(jù)與經(jīng)訓練測量模型的擬合確定所述一或多個實際裝置結構的所關注參數(shù)的測量值;及
將所述所關注參數(shù)的值存儲于存儲器中。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





