[發明專利]極紫外線覆蓋層及其的制造與光刻方法

有效

• 申請號: 201580036643.4
• 申請日: 2015-07-03
• 公開（公告）號: CN106663601B
• 公開（公告）日: 2020-01-10
• 發明（設計）人: 卡拉·比斯利;拉爾夫·霍夫曼;馬耶德·A·福阿德;魯迪·貝克斯特羅姆三世
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027
• 代理公司: 11006 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種制造極紫外線反射構件的方法，包含以下步驟：

提供基板；

在所述基板上形成多層堆疊，所述多層堆疊包括多個反射層對，所述多個反射層對具有第一反射層與第二反射層以形成布拉格反射器；以及

在所述多層堆疊上形成覆蓋所述多層堆疊的覆蓋層，所述覆蓋層由釕鎢形成，并且所述覆蓋層通過減少氧化與機械侵蝕來保護所述多層堆疊。

2.如權利要求1所述的方法，其中形成所述多層堆疊的步驟包括：形成具有所述第一反射層的所述多層堆疊和形成所述第二反射層，所述第一反射層由4.1納米厚的硅形成，所述第二反射層由2.8納米厚的鉬形成。

3.如權利要求1所述的方法，其中形成所述覆蓋層的步驟包括：使用物理氣相沉積形成所述覆蓋層，以及形成厚度在20埃與50埃之間的所述覆蓋層，并且所述覆蓋層對極紫外線光是透明的。

4.如權利要求1所述的方法，其中形成所述覆蓋層的步驟包括：形成具有5.5或更大的莫氏硬度的所述覆蓋層。

5.如權利要求1所述的方法，其進一步包括以下步驟：在所述覆蓋層上形成吸收層并覆蓋所述覆蓋層，所述吸收層由鉻、鉭、氮化物、鎳或上述物質的組合形成。

6.如權利要求1所述的方法，其中形成所述覆蓋層的步驟包括：形成具有小于0.2納米均方根(RMS)的表面粗糙度的所述覆蓋層。

7.一種極紫外線反射構件，包含：

基板；

多層堆疊，所述多層堆疊在所述基板上，所述多層堆疊包括多個反射層對，所述多個反射層對具有第一反射層與第二反射層；以及

覆蓋層，所述覆蓋層在所述多層堆疊上并覆蓋所述多層堆疊，所述覆蓋層由釕鎢形成，并且所述覆蓋層通過減少氧化與機械侵蝕來保護所述多層堆疊。

8.如權利要求7所述的極紫外線反射構件，其中所述多層堆疊包括由4.1納米厚的硅形成的所述第一反射層和由2.8納米厚的鉬形成的所述第二反射層。

9.如權利要求7所述的極紫外線反射構件，其中所述覆蓋層具有通過物理氣相沉積形成的特性，所述覆蓋層具有20埃與50埃之間的厚度，并且所述覆蓋層對極紫外線光是透明的。

10.如權利要求7所述的極紫外線反射構件，其中所述覆蓋層具有5.5或更大的莫氏硬度。

11.如權利要求7所述的極紫外線反射構件，其進一步包括：吸收層，所述吸收層在所述覆蓋層上并覆蓋所述覆蓋層，所述吸收層由鉻、鉭、氮化物、鎳或上述物質的組合形成。

12.如權利要求7所述的極紫外線反射構件，其中所述覆蓋層具有小于0.2納米均方根(RMS)的表面粗糙度。

13.一種極紫外線反射構件生產系統，包含：

第一沉積系統，所述第一沉積系統用于在基板上沉積多層堆疊，所述多層堆疊包括多個反射層對，所述反射層對具有第一反射層與第二反射層；以及

第二沉積系統，所述第二沉積系統用于在所述多層堆疊上形成覆蓋層，所述覆蓋層由釕鎢形成。

14.如請求項13所述的極紫外線反射構件生產系統，其中所述第一沉積系統用于形成由4.1納米厚的硅形成的所述第一反射層和由2.8納米厚的鉬形成的所述第二反射層。

15.如權利要求13所述的極紫外線反射構件生產系統，其中所述第二沉積系統用于使用物理氣相沉積形成所述覆蓋層，所述覆蓋層具有20埃與50埃之間的厚度，并且所述覆蓋層對極紫外線光是透明的。

16.如權利要求13所述的極紫外線反射構件生產系統，其中所述第二沉積系統用于形成具有5.5或更大的莫氏硬度的所述覆蓋層。

17.如權利要求13所述的極紫外線反射構件生產系統，其中所述第二沉積系統用于形成具有小于0.2納米均方根(RMS)的表面粗糙度的所述覆蓋層。