[發(fā)明專利]旋轉(zhuǎn)批量外延系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201580035653.6 | 申請(qǐng)日: | 2015-06-09 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN106663604B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-01-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 雅各布·紐曼 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 應(yīng)用材料公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/20 | 分類號(hào): | H01L21/20;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國(guó);趙靜 |
| 地址: | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 旋轉(zhuǎn) 批量 外延 系統(tǒng) | ||
1.一種處理腔室,所述處理腔室包括:
腔室蓋件,所述腔室蓋件具有:
中心設(shè)置的氣體入口,所述中心設(shè)置的氣體入口經(jīng)調(diào)適而將第一工藝氣體引至所述處理腔室的內(nèi)部容積;
一或多個(gè)氣體出口,所述一或多個(gè)氣體出口自所述中心設(shè)置的氣體入口徑向向外設(shè)置;和
第一氣體偏轉(zhuǎn)器,所述第一氣體偏轉(zhuǎn)器經(jīng)定位而將所述第一工藝氣體側(cè)向地導(dǎo)向橫跨多個(gè)基板的表面;
多個(gè)燈,所述多個(gè)燈設(shè)置于所述腔室蓋件內(nèi),多個(gè)燈定位于所述中心設(shè)置的氣體入口與所述一或多個(gè)氣體出口之間;和
可旋轉(zhuǎn)的基板支撐件,所述可旋轉(zhuǎn)的基板支撐件設(shè)置于所述處理腔室內(nèi),所述可旋轉(zhuǎn)的基板支撐件經(jīng)調(diào)適以支撐所述可旋轉(zhuǎn)的基板支撐件上的所述多個(gè)基板,所述可旋轉(zhuǎn)的基板支撐件包含:
氣體通道,所述氣體通道形成于所述可旋轉(zhuǎn)的基板支撐件中,以用于將第二工藝氣體引至所述處理腔室的所述內(nèi)部容積;和
第二氣體偏轉(zhuǎn)器,所述第二氣體偏轉(zhuǎn)器經(jīng)定位而將所述第二工藝氣體側(cè)向地導(dǎo)向橫跨所述多個(gè)基板的所述表面;
多個(gè)基板支撐凹槽,所述多個(gè)基板支撐凹槽形成于所述可旋轉(zhuǎn)的基板支撐件的上表面中;以及
一或多個(gè)排氣氣室,所述一或多個(gè)排氣氣室形成于所述可旋轉(zhuǎn)的基板支撐件的所述上表面中,所述一或多個(gè)排氣氣室自所述基板支撐凹槽徑向向外設(shè)置,
其中所述一或多個(gè)氣體出口經(jīng)構(gòu)造以自所述腔室蓋件的下表面通過(guò)并向上將所述第一工藝氣體或所述第二工藝氣體中的一或多種的至少一些自所述處理腔室排出,且所述一或多個(gè)排氣氣室經(jīng)構(gòu)造以自所述可旋轉(zhuǎn)的基板支撐件的所述上表面通過(guò)并向下將所述第一工藝氣體或所述第二工藝氣體中的一或多種的至少一些自所述處理腔室排出。
2.如權(quán)利要求1所述的處理腔室,進(jìn)一步包括一或多個(gè)氣體偏轉(zhuǎn)器,所述一或多個(gè)氣體偏轉(zhuǎn)器鄰近于所述一或多個(gè)排氣氣室的各個(gè)排氣氣室而定位。
3.如權(quán)利要求2所述的處理腔室,其中鄰近于所述一或多個(gè)排氣氣室中的各個(gè)排氣氣室而定位的所述一或多個(gè)氣體偏轉(zhuǎn)器中的各個(gè)氣體偏轉(zhuǎn)器以相關(guān)于所述可旋轉(zhuǎn)的基板支撐件的上表面約45度至約135度的角度定位。
4.如權(quán)利要求1所述的處理腔室,進(jìn)一步包括可旋轉(zhuǎn)的氣體密封件,所述可旋轉(zhuǎn)的氣體密封件設(shè)置于所述氣體通道與所述可旋轉(zhuǎn)的基板支撐件的支撐軸之間,所述氣體通道形成于所述可旋轉(zhuǎn)的基板支撐件中。
5.如權(quán)利要求1所述的處理腔室,進(jìn)一步包括致動(dòng)器,所述致動(dòng)器耦接至所述可旋轉(zhuǎn)的基板支撐件以垂直致動(dòng)所述可旋轉(zhuǎn)的基板支撐件。
6.如權(quán)利要求1所述的處理腔室,其中:
所述可旋轉(zhuǎn)的基板支撐件包括凹槽,所述凹槽于所述可旋轉(zhuǎn)的基板支撐件的上表面中心形成;
其中具有多個(gè)開(kāi)口的板設(shè)置于所述凹槽內(nèi),所述多個(gè)開(kāi)口通過(guò)所述板而形成;
其中所述第二氣體偏轉(zhuǎn)器包括支撐柱,所述支撐柱與氣體偏轉(zhuǎn)構(gòu)件中心耦接;以及
其中所述支撐柱與所述板耦接。
7.如權(quán)利要求1所述的處理腔室,其中所述腔室蓋件的所述一或多個(gè)氣體出口包括環(huán)狀排氣出口。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





