[發明專利]使用離子注入制造太陽能電池發射極區

有效

• 申請號: 201580035521.3
• 申請日: 2015-06-24
• 公開（公告）號: CN107155377B
• 公開（公告）日: 2019-05-21
• 發明（設計）人: 戴維·D·史密斯;蒂莫西·韋德曼;斯塔凡·韋斯特貝格
• 申請（專利權）人: 太陽能公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/04;H01L31/0216
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 顧麗波;井杰

本公開描述了使用離子注入制造太陽能電池發射極區的方法，以及所得太陽能電池。在一個例子中，背接觸太陽能電池包括具有光接收表面和背表面的晶體硅基板。第一多晶硅發射極區設置在所述晶體硅基板上方。所述第一多晶硅發射極區摻雜有第一導電類型的摻雜物雜質物質，并且還包括不同于所述第一導電類型的所述摻雜物雜質物質的輔助雜質物質。第二多晶硅發射極區設置在所述晶體硅基板上方，并且與所述第一多晶硅發射極區相鄰但分開。所述第二多晶硅發射極區摻有第二相反導電類型的摻雜物雜質物質。第一導電觸點結構和第二導電觸點結構分別電連接到所述第一多晶硅發射極區和所述第二多晶硅發射極區。

技術領域

本公開的實施例屬于可再生能源領域，并且具體地講，涉及使用離子注入制造太陽能電池發射極區的方法，以及所得太陽能電池。

背景技術

光伏電池(常被稱為太陽能電池)是熟知的用于將太陽輻射直接轉換為電能的裝置。一般來講，使用半導體加工技術在基板的表面附近形成p-n結，從而在半導體晶片或基板上制造太陽能電池。照射在基板表面上并進入基板內的太陽輻射在基板塊體中形成電子和空穴對。電子和空穴對遷移至基板中的p摻雜區域和n摻雜區域，從而在摻雜區域之間產生電壓差。將摻雜區連接至太陽能電池上的導電區，以將電流從電池引導至與其耦接的外部電路。

效率是太陽能電池的重要特性，因其直接與太陽能電池發電能力有關。同樣，制備太陽能電池的效率直接與此類太陽能電池的成本效益有關。因此，提高太陽能電池效率的技術或提高制造太陽能電池效率的技術是普遍所需的。本公開的一些實施例允許通過提供制造太陽能電池結構的新工藝而提高太陽能電池的制造效率。本公開的一些實施例允許通過提供新型太陽能電池結構來提高太陽能電池效率。

附圖說明

圖1A至圖1G示出了根據本公開的實施例的太陽能電池制造中的各個階段的剖視圖。

圖2為根據本公開的實施例的流程圖，該流程圖列出了與圖1A至圖1G相對應的制造太陽能電池的方法中的操作。

圖3A示出了根據本公開的實施例的經過修改的第一注入區的剖視圖，該第一注入區使用相同尺寸的對準狹縫圖案形成。

圖3B示出了根據本公開的實施例的經過修改的第一注入區的剖視圖，該第一注入區使用相同尺寸的未對準狹縫圖案形成。

圖3C示出了根據本公開的實施例的經過修改的第一注入區的剖視圖，該第一注入區使用更小(例如，更窄)尺寸的狹縫圖案形成。

圖4示意性地示出了根據本公開的實施例的圖案化注入的內嵌式平臺的剖視圖，該圖案化注入涉及移動晶片和靜止遮蔽掩模。

圖5示意性地示出了根據本公開的另一實施例的圖案化注入的另一內嵌式平臺的剖視圖，該圖案化注入涉及移動晶片和靜止遮蔽掩模。

圖6為根據本公開的另一實施例的流程圖，該流程圖列出了與圖5的內嵌式平臺相對應的制造太陽能電池的方法中的操作。

圖7A和圖7B分別示出了根據本公開的實施例的由材料疊堆層制造成的狹縫掩模的成角度視圖和剖視圖。

具體實施方式

以下具體實施方式本質上只是例證性的，并非意圖限制所述主題的實施例或此類實施例的應用和用途。如本文所用，詞語“示例性”意指“用作實例、例子或舉例說明”。本文描述為示例性的任何實施未必理解為相比其他實施優選的或有利的。此外，并不意圖受前述技術領域、背景技術、發明內容或以下具體實施方式中提出的任何明示或暗示的理論的約束。

本說明書包括提及“一個實施例”或“實施例”。短語“在一個實施例中”或“在實施例中”的出現不一定是指同一實施例。特定的特征、結構或特性可以任何與本公開一致的合適方式加以組合。

術語。以下段落提供存在于本公開(包括所附權利要求書)中的術語的定義和/或語境：