[發(fā)明專利]具有金屬、電介質(zhì)及氮化物兼容性的抗反射涂層清洗及蝕刻后殘留物去除組成物在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201580035488.4 | 申請(qǐng)日: | 2015-06-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107004575A | 公開(公告)日: | 2017-08-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 埃馬紐爾·I·庫(kù)珀;斯蒂芬·里皮;宋凌雁 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 恩特格里斯公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/027 | 分類號(hào): | H01L21/027 |
| 代理公司: | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11287 | 代理人: | 齊楊 |
| 地址: | 美國(guó)馬*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 金屬 電介質(zhì) 氮化物 兼容性 反射 涂層 清洗 蝕刻 殘留物 去除 組成 | ||
1.一種液體去除組成物,其包括至少一種含氟化物的化合物、至少一種有機(jī)溶劑、任選地水,及電介質(zhì)鈍化劑及/或腐蝕抑制劑及/或至少一種含硅化合物中的至少一者,其中所述液體去除組成物可用于從其上具有抗反射涂層ARC材料及/或蝕刻后殘留物的微電子裝置去除所述材料及/或殘留物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液體去除組成物,其包括至少一種電介質(zhì)鈍化劑,其中所述電介質(zhì)鈍化劑包括選自由以下項(xiàng)組成的群組的物質(zhì):丙二酸、硼酸、硼酸氫銨、五硼酸銨、四硼酸鈉、硼酸氫銨、3-羥基-2-萘甲酸、亞氨二乙酸及其組合,優(yōu)選為硼酸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的液體去除組成物,其包括至少一種腐蝕抑制劑,其中所述腐蝕抑制劑包括選自由以下項(xiàng)組成的群組的物質(zhì):苯并三唑(BTA)、1,2,4-三唑(TAZ)、5-氨基四唑(ATA)、1-羥基苯并三唑、5-氨基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇、3-氨基-1H-1,2,4-三唑、3,5-二氨基-1,2,4-三唑、甲苯三唑、5-苯基-苯并三唑、5-硝基-苯并三唑、3-氨基-5-巰基-1,2,4-三唑、1-氨基-1,2,4-三唑、2-(5-氨基-戊基)-苯并三唑、1-氨基-1,2,3-三唑、1-氨基-5-甲基-1,2,3-三唑、3-巰基-1,2,4-三唑、3-異丙基-1,2,4-三唑、5-苯基硫醇-苯并三唑、鹵基-苯并三唑(鹵基=F、Cl、Br或I)、萘并三唑、1H-四唑-5-乙酸、2-巰基苯并噻唑(2-MBT)、1-苯基-2-四唑啉-5-硫酮、2-巰基苯并咪唑(MBI)、4-甲基-2-苯基咪唑、2-巰基噻唑啉、2,4-二氨基-6-甲基-1,3,5-三嗪、噻唑、咪唑、苯并咪唑、三嗪、甲基四唑、試鉍硫醇I(Bismuthiol I)、1,3-二甲基-2-咪唑烷酮、1,5-五亞甲基四唑、1-苯基-5-巰基四唑、二氨甲基三嗪、咪唑啉硫酮、4-甲基-4H-1,2,4-三唑-3-硫醇、5-氨基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇、苯并噻唑、磷酸三甲苯酯、吲唑、DNA堿基、吡唑、丙硫醇、抗壞血酸、硫脲、1,1,3,3-四甲基脲、尿素、尿素衍生物、尿酸、乙基黃原酸鉀、甘氨酸、十二烷基苯磺酸(DDBSA)、酒石酸、N,N-二甲基乙酰乙酰胺、1-亞硝基-2-萘酚、聚山梨酸酯80(Tween 80)、十二烷基膦酸(DDPA)、乙二胺四乙酸(EDTA)、(1,2-亞環(huán)己基二氮基)四乙酸(CDTA)、二亞乙三胺五乙酸(DTPA)、2-膦酰丁烷-1,2,4-三羧酸(PBTCA)、乙二胺二琥珀酸、丙二胺四乙酸;膦酸;羥基亞乙基二膦酸(HEDP)(Dequest 2010)、1-羥乙烷-1,1-二膦酸、氮基-三(亞甲基膦酸)(NTMP)、氨基三(亞甲基膦酸)(Dequest 2000)、二亞乙三胺五(亞甲基膦酸)(Dequest 2060S)、乙二胺四(亞甲基膦酸)(EDTMPA)及其組合,優(yōu)選為DDPA。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的液體去除組成物,其包括至少一種含硅化合物,其中所述含硅化合物包括選自由以下項(xiàng)組成的群組的物質(zhì):甲基三甲氧硅烷、二甲基二甲氧硅烷、苯基三甲氧硅烷、四乙氧硅烷(TEOS)、N-丙基三甲氧硅烷、N-丙基三乙氧硅烷、己基三甲氧硅烷、己基三乙氧硅烷、六氟硅酸銨、硅酸鈉、硅酸鉀、四甲基硅酸銨(TMAS)、四乙酰氧硅烷、二-叔丁氧二乙酰氧硅烷、乙酰氧甲基三乙氧硅烷及其組合,優(yōu)選為TMAS。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的液體去除組成物,其中所述至少一種有機(jī)溶劑包括選自由以下項(xiàng)組成的群組的化合物:四亞甲砜、甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、叔丁醇、1-戊醇、己醇、環(huán)己醇、2-乙基-1-己醇、苯甲醇、呋喃甲醇、乙二醇、二甘醇、丙二醇(1,2-丙二醇)、四亞甲二醇(1,4-丁二醇)、2,3-丁二醇、1,3-丁二醇、新戊二醇、二甘醇單甲醚、三甘醇單甲醚、二甘醇單乙醚、三甘醇單乙醚、乙二醇單丙醚、乙二醇單丁醚、二甘醇單丁醚、三甘醇單丁醚、丙二醇甲基醚、二丙二醇甲基醚、三丙二醇甲基醚、丙二醇正丙基醚、二丙二醇正丙基醚、三丙二醇正丙基醚、丙二醇正丁基醚、二丙二醇正丁基醚及三丙二醇正丁基醚、二甲基乙酰胺、甲酰胺、二甲基甲酰胺、1-甲基-2-吡咯烷酮、二甲亞砜、四氫呋喃甲醇(THFA)及其組合。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一權(quán)利要求所述的液體去除組成物,其中至少一種有機(jī)溶劑包括選自由以下項(xiàng)組成的群組的化合物:乙二醇、丙二醇、2-丙醇、1-丙醇、1-丁醇、1,4-丁二醇、1-戊醇及其組合。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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