[發(fā)明專利]選擇性感測(cè)放大器的使能有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201580035365.0 | 申請(qǐng)日： | 2015-07-02 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN106663461B | 公開（公告）日： | 2019-07-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | M.A.德阿布雷烏 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 桑迪士克科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào)： | G11C7/08 | 分類號(hào)： | G11C7/08;G11C7/10;G11C7/14;G11C8/12;G11C13/00;G11C16/08;G11C16/26;G11C16/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 邱軍 |
| 地址： | 美國(guó)得*** | 國(guó)省代碼： | 美國(guó);US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 選擇 性感 放大器 | ||
1.一種方法，包括：
在包括存儲(chǔ)器和控制器的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置中進(jìn)行：
接收讀取命令以讀取該存儲(chǔ)器的字線的一部分；
決定該字線要讀取的第一儲(chǔ)存元件和要讀取的最后儲(chǔ)存元件以識(shí)別該字線的儲(chǔ)存元件的組；
決定耦接到該字線的多個(gè)感測(cè)放大器的第一組感測(cè)放大器和第二組感測(cè)放大器，其中該第一組感測(cè)放大器耦接到該儲(chǔ)存元件的組，并且其中該第二組感測(cè)放大器耦接到該字線的該儲(chǔ)存元件的組之外的該字線的一個(gè)或多個(gè)儲(chǔ)存元件；以及
通過給該字線施加讀取電壓且給該第一組感測(cè)放大器的每個(gè)感測(cè)放大器提供感測(cè)使能信號(hào)而禁用該第二組感測(cè)放大器的每個(gè)感測(cè)放大器，從該儲(chǔ)存元件的組讀取數(shù)據(jù)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該數(shù)據(jù)從該儲(chǔ)存元件的組讀取而將感測(cè)禁用信號(hào)施加到該第二組感測(cè)放大器的每個(gè)感測(cè)放大器，并且其中該讀取命令與邏輯地址相關(guān)。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括決定與該字線的部分對(duì)應(yīng)的該存儲(chǔ)器的物理地址，其中該讀取命令包含要讀取的數(shù)據(jù)量，并且該第一儲(chǔ)存元件和該最后儲(chǔ)存元件根據(jù)該物理地址和該要讀取的數(shù)據(jù)量決定。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中地址解碼器根據(jù)與該讀取命令相關(guān)聯(lián)的邏輯地址決定該物理地址，并且其中該儲(chǔ)存元件的組對(duì)應(yīng)于該物理地址和該要讀取的數(shù)據(jù)量。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括產(chǎn)生位掩碼，其中該位掩碼的每個(gè)位對(duì)應(yīng)于該多個(gè)感測(cè)放大器的不同感測(cè)放大器，并且其中該位掩碼的值識(shí)別要使能的該第一組感測(cè)放大器和要禁用的該第二組感測(cè)放大器。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中儲(chǔ)存在該儲(chǔ)存元件的組的數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)于碼字，并且其中該字線儲(chǔ)存與多個(gè)碼字對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該存儲(chǔ)器包括在多個(gè)存儲(chǔ)裸芯的存儲(chǔ)裸芯中，并且其中該多個(gè)存儲(chǔ)裸芯的每個(gè)存儲(chǔ)裸芯包括一個(gè)或多個(gè)字線和對(duì)應(yīng)的儲(chǔ)存元件。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中該多個(gè)存儲(chǔ)裸芯的每個(gè)存儲(chǔ)裸芯包括解碼器，其中包括該字線的特定存儲(chǔ)裸芯的該解碼器決定耦接到該儲(chǔ)存元件的組的該第一組感測(cè)放大器。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該存儲(chǔ)器包括設(shè)置成二維配置的多個(gè)儲(chǔ)存元件。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該存儲(chǔ)器包括設(shè)置成三維配置的多個(gè)儲(chǔ)存元件。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該存儲(chǔ)器包括多個(gè)存儲(chǔ)裸芯，其中該多個(gè)存儲(chǔ)裸芯耦接在堆疊配置中。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該存儲(chǔ)器是電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該存儲(chǔ)器是閃存存儲(chǔ)器。
14.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該存儲(chǔ)器包括三維存儲(chǔ)器配置，其單片地形成在存儲(chǔ)單元陣列的一個(gè)或多個(gè)物理級(jí)中，該存儲(chǔ)單元陣列具有設(shè)置在硅襯底之上的有源區(qū)域，并且其中該數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置包括與存儲(chǔ)單元的操作相關(guān)聯(lián)的電路。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中該電路包括讀取電路和寫入電路。
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