[發(fā)明專利]發(fā)光元件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580035261.X
• 申請(qǐng)日: 2015-07-01
• 公開（公告）號(hào): CN106663722B
• 公開（公告）日: 2019-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐德壹;金藝瑟;金京完;禹尙沅;金智惠
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 首爾偉傲世有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/36
• 分類號(hào): H01L33/36
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強(qiáng);田野

披露一種發(fā)光元件。該發(fā)光元件包括：第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；臺(tái)面，該臺(tái)面包括活性層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；電流阻擋層；透明電極，該透明電極至少部分地覆蓋電流阻擋層；第一電極，該第一電極包括第一電極墊和第一電極延伸部；第二電極，該第二電極包括第二電極墊和第二電極延伸部；以及絕緣層，該絕緣層部分地位于第一電極的下方部分上，其中，該臺(tái)面包括形成在該臺(tái)面的側(cè)部上的至少一個(gè)溝槽，該第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層通過溝槽部分地露出，該絕緣層包括開口，所露出的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層通過該開口至少部分地露出，該第一電極延伸部包括一個(gè)或多個(gè)延伸部接觸部分，這些延伸部接觸部分通過開口與第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層相接觸，且第二電極延伸部包括端部，該端部具有的寬度不同于第二電極延伸部的平均寬度。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開的示例性實(shí)施例涉及一種發(fā)光裝置，并且更具體地涉及一種具有高電流擴(kuò)散效率以在發(fā)光效率和可靠性方面提供良好性質(zhì)的發(fā)光裝置。

背景技術(shù)

通常，諸如發(fā)光二極管的發(fā)光裝置包括供應(yīng)電子的n型半導(dǎo)體層、供應(yīng)空穴的p型半導(dǎo)體層以及插置在n型半導(dǎo)體層與p型半導(dǎo)體層之間的活性層。n型和p型電極分別形成在n型半導(dǎo)體層和p型半導(dǎo)體層上，以接收來自外部電源的電功率。

另一方面，基于氮化物半導(dǎo)體的p型半導(dǎo)體層相比n型半導(dǎo)體層具有較低的導(dǎo)電率。因此，電流不會(huì)在p型半導(dǎo)體層中有效地?cái)U(kuò)散，由此導(dǎo)致半導(dǎo)體層的某個(gè)區(qū)域中產(chǎn)生電流擁擠。當(dāng)半導(dǎo)體層中發(fā)生電流擁擠時(shí)，發(fā)光二極管變得容易進(jìn)行靜電放電并且可遭遇漏電和效率降低。為了實(shí)現(xiàn)有效的電流擴(kuò)散，諸如氧化銦錫(ITO)電極的透明電極形成在p型半導(dǎo)體層上且p型電極形成在ITO層上。

發(fā)明內(nèi)容

【技術(shù)問題】

本公開的示例性實(shí)施例提供了一種配置成實(shí)現(xiàn)水平方向上的均勻電流擴(kuò)散的發(fā)光裝置。

本公開的示例性實(shí)施例提供了一種發(fā)光裝置，其包括第二電極、透明電極以及相關(guān)地連接至彼此以改進(jìn)結(jié)構(gòu)和電穩(wěn)定性的電流阻擋層。

本公開的示例性實(shí)施例提供了一種改進(jìn)引線鍵合的可結(jié)合性的發(fā)光裝置。

【技術(shù)方案】

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，發(fā)光裝置包括：第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；臺(tái)面，其設(shè)置在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層上并且包括活性層以及設(shè)置在活性層上的第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；電流阻擋層，其部分地設(shè)置在臺(tái)面上；透明電極，其設(shè)置在臺(tái)面上并且至少部分地覆蓋電流阻擋層；第一電極，其與第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層絕緣并且包括第一電極墊和從第一電極墊延伸的第一電極延伸部分；第二電極，其設(shè)置在電流阻擋層上以電連接至透明電極并且包括第二電極墊和從第二電極墊延伸的第二電極延伸部分；以及絕緣層，其部分地設(shè)置在第一電極下方的區(qū)域中，其中臺(tái)面包括至少一個(gè)溝槽，該溝槽形成在臺(tái)面的側(cè)表面上使得第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層通過該溝槽而部分地露出；該絕緣層包括至少部分地露出所露出的第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的開口；該第一電極延伸部分包括至少一個(gè)延伸接觸部分，其穿過開口接觸第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；以及第二電極延伸部分包括遠(yuǎn)端，該遠(yuǎn)端所具有的寬度不同于第二電極延伸部分的平均寬度。

第二電極延伸部分的遠(yuǎn)端的寬度可以大于第二電極延伸部分的平均寬度。

第二電極延伸部分的遠(yuǎn)端可以具有圓形形狀，其直徑大于第二電極延伸部分的寬度。

第二電極延伸部分可以包括從第二電極延伸部分的延伸方向彎曲的附加延伸部分，且該附加延伸部分可以遠(yuǎn)離第一電極延伸部分彎曲。

附加延伸部分可以形成為具有預(yù)定曲率的弧形形狀。

該附加延伸部分可以朝發(fā)光裝置的一個(gè)角部彎曲。

第一電極墊和第二電極墊可以設(shè)置在穿過發(fā)光結(jié)構(gòu)的中心的縱向線上；第一電極墊可以設(shè)置成鄰近于發(fā)光裝置的第一側(cè)表面；以及第二電極墊可以設(shè)置成鄰近于發(fā)光裝置的與其第一側(cè)表面相對(duì)的第三側(cè)表面。