[發明專利]局部磁場發生器

有效

• 申請號: 201580035196.0
• 申請日: 2015-07-01
• 公開（公告）號: CN107205784B
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: A·伊茲米爾里;U·艾希勒;M·科羅爾;K·侯爾;Y·瓦克寧
• 申請（專利權）人: 圣猶達醫療用品國際控股有限公司
• 主分類號: A61B34/20
• 分類號: A61B34/20;A61B5/06
• 代理公司: 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280
• 代理人: 王勇

1.一種用于生成用于跟蹤物體的磁場的設備，包括以下：

患者檢查臺；

布置在所述患者檢查臺的下面的局部磁場發生器，所述局部磁場發生器被配置為生成磁場并控制感興趣區域中的所述磁場，并且被配置為控制隔離區域中的所述磁場，其中：

所述隔離區域從所述感興趣區域位移并包括磁場破壞組件，以及

所述物體位于所述感興趣區域中；

所述局部磁場發生器包括磁場屏蔽，所述磁場屏蔽形成多個磁發射元件位于其上的平面表面，所述多個磁發射元件被配置為生成磁場，并且其中，所述平面表面面向所述患者檢查臺并且所述感興趣區域位于所述患者檢查臺的相對側上，

所述多個磁發射元件相對于所述磁場屏蔽被安裝在不同的位置，以及

所述多個磁發射元件相對于所述磁場屏蔽以不同的方向安裝。

2.根據權利要求1所述的設備，其中，所述磁場破壞組件相對于所述局部磁場發生器移動。

3.根據權利要求2所述的設備，其中，所述磁場破壞組件包括與x射線成像裝置相關聯的x射線源和與所述x射線成像裝置相關聯的c形臂中至少之一。

4.根據權利要求1所述的設備，其中，所述局部磁場發生器被配置為減小所述隔離區域中的所述磁場的強度。

5.根據權利要求1所述的設備，其中，所述局部磁場發生器被配置為遠離所述隔離區域偏轉所述磁場。

6.根據權利要求1所述的設備，其中，所述局部磁場發生器包括被配置為生成所述磁場的多個磁發射元件。

7.根據權利要求6所述的設備，其中：

所述局部磁場發生器包括位于所述多個磁發射元件和所述磁場破壞組件之間的磁場屏蔽；

所述多個磁發射元件被安裝在不同的位置；以及

所述多個磁發射元件以不同的方向安裝。

8.根據權利要求1所述的設備，其中，所述局部磁場發生器被配置為增大位于所述感興趣區域中的磁場的強度與位于所述隔離區域中的磁場的強度的比率。

9.一種磁場發生器，包括以下：

包括第一側和第二側的磁場屏蔽；以及

位于所述磁場屏蔽附近并在所述磁場屏蔽的第一側上的多個磁發射元件，其中，所述多個磁發射元件相對于所述磁場屏蔽以不同的方向安裝，

其中：

所述磁場屏蔽安裝在患者檢查臺的下面；

所述磁場屏蔽形成平面表面；

所述多個磁發射元件位于所述平面表面附近并在所述平面表面的第一側上；以及

所述平面表面的第一側面向所述患者檢查臺并且感興趣區域位于所述患者檢查臺的相對側上。

10.根據權利要求9所述的磁場發生器，其中，所述磁場屏蔽包括由從包括導磁材料和導電材料的組中選擇的材料形成的材料的平面層。

11.根據權利要求9所述的磁場發生器，其中，所述磁場屏蔽包括材料的至少兩個平面層，其中，材料的一個層是導磁材料，以及材料的另一層是導電材料。

12.根據權利要求9所述的磁場發生器，其中：

所述磁場屏蔽包括圍繞所述磁場屏蔽的周邊形成的唇部；以及

所述唇部形成在所述磁場屏蔽的與所述多個磁發射元件所位于的相同側上。

13.根據權利要求12所述的磁場發生器，其中，所述唇部大體上從所述磁場屏蔽的所述平面表面垂直地延伸。

14.根據權利要求12所述的磁場發生器，其中，所述磁場屏蔽的所述平面表面和所述唇部的頂部之間的長度在所述平面表面與所述多個磁發射元件的頂部之間的距離的0.1至2.0倍的范圍內。