[發明專利]氧化鎵襯底

在審

• 申請號: 201580033965.3
• 申請日: 2015-07-01
• 公開（公告）號: CN106661760A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: 輿公祥;渡邊信也;山岡優;渡邊誠
• 申請（專利權）人: 株式會社田村制作所;株式會社光波
• 主分類號: C30B29/16
• 分類號: C30B29/16;C30B15/34
• 代理公司: 北京市隆安律師事務所11323
• 代理人: 徐謙,劉寧軍

技術領域

本發明涉及氧化鎵襯底。

背景技術

作為用于制造氧化鎵單晶的晶體培養法的一個例子，有EFG(Edge-defined Film-fed Growth:導模法)法(例如，參照專利文獻1)。

當采用上述專利文獻1中所記載的EFG法形成氧化鎵單晶時，使氧化鎵單晶從氧化鎵溶液中進行晶體生長。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：特開2013-237591號公報

發明內容

發明要解決的問題

當使氧化鎵單晶生長時，在晶體生長過程中由于要防止氧化鎵溶液的蒸發，故向氧化鎵溶液的表面提供氧。然而，本發明人等發現：如果向氧化鎵溶液的表面提供了過量的氧，則在進行了晶體生長的氧化鎵單晶的襯底加工工序時，將在氧化鎵單晶的表面產生許多線狀凹坑(pit)。

本發明的目的在于，提供一種線狀凹坑少的氧化鎵襯底。

用于解決問題的方案

上述目的通過記載于下述[1]～[3]的各發明來實現。

[1]一種氧化鎵襯底，單晶表面的線狀凹坑的密度的平均值為1000個/cm²以下。

[2]上述[1]記載的氧化鎵襯底，上述單晶中的有效載流子濃度在1×10¹⁷[/cm³]～1×10²⁰[/cm³]的范圍內。

[3]上述[1]記載的氧化鎵襯底，上述單晶中的有效載流子濃度在2.05×10¹⁷[/cm³]～2.23×10¹⁹[/cm³]的范圍內。

發明效果

根據本發明，能夠提供一種線狀凹坑少的氧化鎵襯底。

附圖說明

圖1是EFG晶體制造裝置的主要部分截面圖。

圖2是表示β－Ga₂O₃系單晶的生長過程中的情況的主要部分立體圖。

圖3是示出經CMP研磨的氧化鎵襯底的表面狀態的光學顯微鏡照片。

圖4是示出經磷酸蝕刻的氧化鎵襯底的表面狀態的光學顯微鏡照片。

圖5是示出β－Ga₂O₃系單晶中的有效載流子濃度與每單位面積的β－Ga₂O₃系單晶的線狀凹坑的個數之間的關系的圖表。

具體實施方式

以下根據附圖對本發明的優選實施方式進行具體描述。

在圖1和圖2中，表示整體的附圖標記10示意性地示出了EFG晶體制造裝置。

該EFG晶體制造裝置10包括：對溶解β－Ga₂O₃系粉末而得到的Ga₂O₃系溶液11進行盛載的坩堝12；設置在坩堝12內的模具(die)13；對除了縫隙13a的開口部13b之外的坩堝12的上表面進行關閉的蓋14；保持β－Ga₂O₃系籽晶(以下稱為“籽晶”)20的籽晶保持件21；以及可升降地支撐籽晶保持件21的軸22。

坩堝12由可收存Ga₂O₃系溶液11的具有耐熱性的銥等金屬材料構成。模具13具有利用毛細管現象使Ga₂O₃系溶液11上升的縫隙13a。蓋14防止高溫的Ga₂O₃系溶液11從坩堝12蒸發，并防止Ga₂O₃系溶液11的蒸汽附著在縫隙13a的上表面以外的部分。