[發明專利]硅在納米線上的結構受控的沉積

有效

• 申請號: 201580032057.2
• 申請日: 2015-05-12
• 公開（公告）號: CN106663786B
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發明（設計）人: 王維潔;劉祖琴;韓松;J·博恩斯坦;C·I·斯蒂芬
• 申請（專利權）人: 安普瑞斯股份有限公司
• 主分類號: H01M4/134
• 分類號: H01M4/134;H01M4/1395;H01M10/052
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 李躍龍

1.用于鋰蓄電池的陽極，其包含：

a)基材；

b)固著于該基材的納米線模板；

c)基本上涂覆該納米線模板的第一硅層，該第一硅層具有第一密度；和

d)該第一硅層和任何暴露的納米線模板上方的第二硅層，該第二硅層具有的密度高于該第一硅層的密度，

其中該第二硅層與下面的表面是共形的。

2.權利要求1的陽極，其中該第一密度小于2.2g/cm³。

3.權利要求1的陽極，其中該第一密度小于2.1g/cm³。

4.權利要求1的陽極，其中該第二硅層具有大于2.25g/cm³的密度。

5.用于鋰蓄電池的陽極，其包含：

a)基材；

b)固著于該基材的納米線模板；

c)基本上涂覆該納米線模板的第一硅層，該第一硅層具有第一密度；和

d)該第一硅層和任何暴露的納米線模板上方的第二硅層，該第二硅層具有的密度高于該第一硅層的密度，

其中該第二硅層具有的密度比該第一硅層的密度大至少0.05g/cm³。

6.權利要求1的陽極，其中該第二硅層具有的密度比該第一硅層的密度大至少0.15g/cm³。

7.權利要求1的陽極，其中該第一硅層與該納米線模板是非共形的。

8.權利要求1的陽極，其中第一硅層和第二硅層是非晶態的。

9.權利要求1的陽極，其中該第一硅層的氫含量為至少10％。

10.權利要求1的陽極，其中該第二硅層的氫含量不大于5％。

11.權利要求1的陽極，其中該納米線模板包含硅化物納米線。

12.權利要求1的陽極，其中該第一硅層在其最大直徑處為5至20微米厚。

13.權利要求1的陽極，其中該第二硅層為5至500納米厚。

14.權利要求1的陽極，其中該第二硅層為5至100納米厚。

15.鋰蓄電池，其包含：

如權利要求1中的陽極；

含鋰陰極；

與陽極和陰極兩者離子連通的電解質。

16.制作用于鋰蓄電池的陽極的方法，其包括以下步驟：

提供基材；

從該基材生長納米線；

使用PECVD方法在該納米線上方沉積第一硅層；

使用熱CVD方法在該第一硅層、納米線和基材上方沉積第二硅層。

17.權利要求16的方法，其中該PECVD方法是膨脹熱等離子體(ETP)方法。

18.權利要求16的方法，其中該納米線是硅化物納米線。

19.權利要求16的方法，其中在熱CVD方法期間的室壓力小于2乇。