[發(fā)明專(zhuān)利]硅在納米線(xiàn)上的結(jié)構(gòu)受控的沉積

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580032057.2
• 申請(qǐng)日: 2015-05-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106663786B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-06-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王維潔;劉祖琴;韓松;J·博恩斯坦;C·I·斯蒂芬
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 安普瑞斯股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01M4/134
• 分類(lèi)號(hào): H01M4/134;H01M4/1395;H01M10/052
• 代理公司: 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 李躍龍

1.用于鋰蓄電池的陽(yáng)極，其包含：

a)基材；

b)固著于該基材的納米線(xiàn)模板；

c)基本上涂覆該納米線(xiàn)模板的第一硅層，該第一硅層具有第一密度；和

d)該第一硅層和任何暴露的納米線(xiàn)模板上方的第二硅層，該第二硅層具有的密度高于該第一硅層的密度，

其中該第二硅層與下面的表面是共形的。

2.權(quán)利要求1的陽(yáng)極，其中該第一密度小于2.2g/cm³。

3.權(quán)利要求1的陽(yáng)極，其中該第一密度小于2.1g/cm³。

4.權(quán)利要求1的陽(yáng)極，其中該第二硅層具有大于2.25g/cm³的密度。

5.用于鋰蓄電池的陽(yáng)極，其包含：

a)基材；

b)固著于該基材的納米線(xiàn)模板；

c)基本上涂覆該納米線(xiàn)模板的第一硅層，該第一硅層具有第一密度；和

d)該第一硅層和任何暴露的納米線(xiàn)模板上方的第二硅層，該第二硅層具有的密度高于該第一硅層的密度，

其中該第二硅層具有的密度比該第一硅層的密度大至少0.05g/cm³。

6.權(quán)利要求1的陽(yáng)極，其中該第二硅層具有的密度比該第一硅層的密度大至少0.15g/cm³。

7.權(quán)利要求1的陽(yáng)極，其中該第一硅層與該納米線(xiàn)模板是非共形的。

8.權(quán)利要求1的陽(yáng)極，其中第一硅層和第二硅層是非晶態(tài)的。

9.權(quán)利要求1的陽(yáng)極，其中該第一硅層的氫含量為至少10％。

10.權(quán)利要求1的陽(yáng)極，其中該第二硅層的氫含量不大于5％。

11.權(quán)利要求1的陽(yáng)極，其中該納米線(xiàn)模板包含硅化物納米線(xiàn)。

12.權(quán)利要求1的陽(yáng)極，其中該第一硅層在其最大直徑處為5至20微米厚。

13.權(quán)利要求1的陽(yáng)極，其中該第二硅層為5至500納米厚。

14.權(quán)利要求1的陽(yáng)極，其中該第二硅層為5至100納米厚。

15.鋰蓄電池，其包含：

如權(quán)利要求1中的陽(yáng)極；

含鋰陰極；

與陽(yáng)極和陰極兩者離子連通的電解質(zhì)。

16.制作用于鋰蓄電池的陽(yáng)極的方法，其包括以下步驟：

提供基材；

從該基材生長(zhǎng)納米線(xiàn)；

使用PECVD方法在該納米線(xiàn)上方沉積第一硅層；

使用熱CVD方法在該第一硅層、納米線(xiàn)和基材上方沉積第二硅層。

17.權(quán)利要求16的方法，其中該P(yáng)ECVD方法是膨脹熱等離子體(ETP)方法。

18.權(quán)利要求16的方法，其中該納米線(xiàn)是硅化物納米線(xiàn)。

19.權(quán)利要求16的方法，其中在熱CVD方法期間的室壓力小于2乇。