[發明專利]氧化物燒結體、濺射靶及使用該靶得到的氧化物半導體薄膜在審
| 申請號： | 201580029806.6 | 申請日： | 2015-06-24 |
| 公開（公告）號： | CN106414366A | 公開（公告）日： | 2017-02-15 |
| 發明（設計）人： | 中山德行;西村英一郎;松村文彥;井藁正史 | 申請（專利權）人： | 住友金屬礦山株式會社 |
| 主分類號： | C04B35/00 | 分類號： | C04B35/00;C01G15/00;C23C14/08;C23C14/34;H01L21/20;H01L21/363 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司72003 | 代理人： | 李英艷 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧化物 燒結 濺射 使用 得到 半導體 薄膜 | ||
【權利要求書】：
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