[發明專利]空隙形成用組合物、具備使用該組合物而形成的空隙的半導體裝置、以及使用了該組合物的半導體裝置的制造方法有效
| 申請號： | 201580028112.0 | 申請日： | 2015-05-26 |
| 公開（公告）號： | CN106471057A | 公開（公告）日： | 2017-03-01 |
| 發明（設計）人： | 中杉茂正;絹田貴史;能谷剛 | 申請（專利權）人： | AZ電子材料（盧森堡）有限公司 |
| 主分類號： | C08L65/00 | 分類號： | C08L65/00;C08G61/12;H01L21/312;H01L21/768;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京三幸商標專利事務所(普通合伙)11216 | 代理人： | 劉淼 |
| 地址： | 盧森堡*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 空隙 形成 組合 具備 使用 半導體 裝置 以及 制造 方法 | ||
【說明書】：
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