[發明專利]光電裝置

有效

• 申請號: 201580027680.9
• 申請日: 2015-04-06
• 公開（公告）號: CN106663718B
• 公開（公告）日: 2019-10-01
• 發明（設計）人: P.阿塔納科維奇
• 申請（專利權）人: 斯蘭納UV科技有限公司
• 主分類號: H01L33/04
• 分類號: H01L33/04
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

1.一種光電裝置，所述光電裝置包括半導體結構，所述半導體結構包括：

p型活性區，包括p型超晶格；

n型活性區，包括n型超晶格；以及

i型活性區，在所述n型活性區與所述p型活性區之間，包括i型超晶格；

其中：

所述半導體結構僅由一個或多個超晶格構成；

每個所述p型超晶格由多個p型單位晶胞構成；

所述n型超晶格由多個n型單位晶胞構成；

所述i型超晶格由多個i型單位晶胞構成；其中

所述多個p型、n型以及i型單位晶胞每個的平均合金含量對于全部所述一個或多個超晶格沿著生長方向是恒定的；并且

每個單位晶胞包括至少兩個不同的基本單晶層；

所述p型單位晶胞包括至少兩個不同的基本單晶層的第一集合；

所述n型單位晶胞包括至少兩個不同的基本單晶層的第二集合；

所述i型單位晶胞包括至少兩個不同的基本單晶層的第三集合；

所述至少兩個不同的基本單晶層的第三集合的組合厚度厚于所述至少兩個不同的基本單晶層的第一集合的組合厚度；

所述至少兩個不同的基本單晶層的第三集合的組合厚度厚于所述至少兩個不同的基本單晶層的第二集合的組合厚度；

所述至少兩個不同的基本單晶層的第一集合、第二集合以及第三集合中所包括的全部不同的基本單晶層具有小于或等于維持彈性應變所需的臨界層厚度的厚度。

2.如權利要求1所述的光電裝置，其中所述i型活性區具有大于或等于1nm且小于或等于100nm的厚度。

3.如權利要求1所述的光電裝置，其中所述半導體結構通過沿著所述生長方向的外延層生長來構建。

4.如權利要求3所述的光電裝置，其中所述兩個層的第一集合、第二集合以及第三集合各自具有小于或等于6個材料單層的厚度，所述材料的各自層沿著所述生長方向構成。

5.如權利要求3所述的光電裝置，其中所述至少兩個不同的基本單晶層的第一集合、第二集合以及第三集合的至少一部分內的不同的基本單晶層之一沿著所述生長方向包括1至10個原子單層并且各自單位晶胞每個的另外一個或多個層沿著所述生長方向包括總共1至10個原子單層。

6.如權利要求3所述的光電裝置，其中所述至少兩個不同的基本單晶層的第一集合、第二集合以及第三集合中的每一者的所述至少兩個不同的基本單晶層具有纖維鋅礦晶體對稱性并且在所述生長方向上具有晶體極性，所述晶體極性為金屬極極性或氮極極性。

7.如權利要求6所述的光電裝置，其中所述晶體極性沿著所述生長方向在空間上變化，所述晶體極性在所述氮極極性與所述金屬極極性之間交替地翻轉。

8.如權利要求3所述的光電裝置，其中所述光電裝置被配置為發光裝置并且通過由所述p型活性區和所述n型活性區供應的電活性空穴和電子的復合而生成光，在所述i型活性區中發生所述復合。

9.如權利要求8所述的光電裝置，其中由所述光電裝置發出的光為波長范圍為150nm至280nm的紫外光。

10.如權利要求8所述的光電裝置，其中：

所述光電裝置發出具有相對于所述生長方向的基本橫向電光學偏振的光；并且

所述光電裝置作為垂直發射腔裝置操作，其中光在空間上生成并且沿著基本垂直于所述半導體結構的所述一個或多個超晶格的所述單位晶胞的所述一個或多個層的平面的方向受限。