[發(fā)明專利]干法刻蝕掩膜層而不氧化存儲(chǔ)單元和源線的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201580026524.0 | 申請(qǐng)日： | 2015-04-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN106463345B | 公開（公告）日： | 2020-01-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | K·阿克塔爾;A·杜塔;A·J·施里恩斯基;S·J·特拉普 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 索尼半導(dǎo)體解決方案公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/02 | 分類號(hào)： | H01L21/02;H01L21/311;H01L21/321;H01L21/768;C23C8/04;C23C8/08;H01L45/00 |
| 代理公司： | 11038 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人： | 王莉莉 |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 刻蝕 掩膜層 氧化 存儲(chǔ) 單元 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
- 動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)管理裝置及方法
- 一種存儲(chǔ)方法、服務(wù)器及存儲(chǔ)控制器
- 一種基于存儲(chǔ)系統(tǒng)的控制方法及裝置
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- 一種數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法及裝置
- 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備以及存儲(chǔ)介質(zhì)
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