[發(fā)明專利]CuSn、CuZn和Cu2ZnSn濺射靶在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580026122.0 | 申請日: | 2015-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN106460162A | 公開(公告)日: | 2017-02-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | M·舒爾塞斯;C·西蒙斯 | 申請(專利權(quán))人: | 賀利氏德國有限責(zé)任兩合公司 |
| 主分類號: | C23C14/34 | 分類號: | C23C14/34 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務(wù)所11247 | 代理人: | 李穎;林柏楠 |
| 地址: | 暫無信息 | 國省代碼: | 德國;DE |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | cusn cuzn cu2znsn 濺射 | ||
【權(quán)利要求書】:
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分,VIP會員可以免費(fèi)下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于賀利氏德國有限責(zé)任兩合公司,未經(jīng)賀利氏德國有限責(zé)任兩合公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201580026122.0/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
- 控制晶相合成帶隙可調(diào)的單分散Cu<sub>2</sub>ZnSn(S<sub>1-x</sub>Se<sub>x</sub>)<sub>4</sub>納米晶的方法
- 超聲波微波協(xié)同作用下溶劑熱合成閃鋅礦結(jié)構(gòu)CZTSSe半導(dǎo)體材料的方法
- 含銅納米晶及其制備方法
- 一種具有擇優(yōu)取向的Cu2ZnSn(S1?xSex)4薄膜
- 一種循環(huán)浸漬制備Cu2ZnSn(S1?x,Sex)4納米晶薄膜的方法
- 一種CZTSSe薄膜的硫化物靶材共濺射制備方法及產(chǎn)品
- CuSn、CuZn和Cu2ZnSn濺射靶
- 一種銅鋅錫硫硒納米晶的制備方法
- 一種Cu<base:Sub>2
- 一種Cu<sub>2</sub>ZnSn(S;Se)<sub>4</sub>薄膜太陽能電池





