[發明專利]傳輸線過孔結構

有效

• 申請號: 201580025911.2
• 申請日: 2015-01-13
• 公開（公告）號: CN106465535B
• 公開（公告）日: 2018-01-02
• 發明（設計）人: D·M·馬奧尼;M·H·馬爾迪
• 申請（專利權）人: 賽靈思公司
• 主分類號: H05K1/02
• 分類號: H05K1/02;H05K3/40;H05K3/42;H05K1/11
• 代理公司: 北京市君合律師事務所11517
• 代理人: 顧云峰,吳龍瑛

1.一種基底中的傳輸線過孔結構，其特征在于，所述傳輸線過孔結構包括：

多個子結構，所述多個子結構沿著穿過所述基底的過孔的縱軸線堆疊于所述過孔內，每個所述子結構包括：

中央導體部分，所述中央導體部分沿著所述縱軸線延伸；

外部導體部分，所述外部導體部分圍繞所述中央導體部分布置；以及

至少一個介電支撐構件，所述至少一個介電支撐構件分離所述外部導體部分和中央導體部分，并在外部導體部分和中央導體部分之間提供非固體空間；以及

導電膠，所述導電膠布置于所述多個子結構中連續的子結構的中央導體部分之間以及布置于所述多個子結構中連續的子結構的外部導體部分之間，從而形成外部導體和中央導體。

2.如權利要求1所述的傳輸線過孔結構，其特征在于，所述非固體空間中未被所述至少一個介電支撐構件占據的一部分被空氣占據。

3.如權利要求1或2所述的傳輸線過孔結構，其特征在于，所述至少一個介電支撐構件中的每一個均包括由介電材料構成的盤，所述盤具有多個貫穿其的孔。

4.如權利要求3所述的傳輸線過孔結構，其特征在于，對于所述至少一個介電支撐構件的每一個，與所述外部導體部分接觸的所述盤的邊緣比所述盤的內部部分厚。

5.如權利要求1或2所述的傳輸線過孔結構，其特征在于，所述基底中的過孔鍍有圍繞所述多個子結構的導體。

6.如權利要求1或2所述的傳輸線過孔結構，其特征在于，所述中央導體的長度與所述中央導體的直徑之間的比率大于30:1。

7.如權利要求1或2所述的傳輸線過孔結構，其特征在于，所述中央導體和外部導體耦接于所述基底的至少一個表面上的至少一個傳輸線。

8.一種形成基底中的傳輸線過孔結構的方法，其特征在于，所述方法包括：

在所述基底中形成沿著縱軸線在所述基底的頂部和底部表面之間延伸的過孔；

形成多個子結構，所述多個子結構中的每一個均包括通過介電支撐構件與中央導體部分分離的外部導體部分，并且每一個子結構還包括所述介電支撐構件之間的犧牲材料；

用導電膠在所述過孔內堆疊所述多個子結構，從而形成外部導體和中央導體，其中所述導電膠位于所述多個子結構中連續的子結構的中央導體部分之間和位于所述多個子結構中連續的子結構的外部導體部分之間；以及

從所述多個子結構中的每一個移除所述犧牲材料，從而在所述中央導體部分和所述外部導體部分之間提供非固體空間。

9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述介電支撐構件具有貫穿其的孔，并且所述犧牲材料被通過所述孔移除。

10.如權利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述非固體空間中未被所述介電支撐構件占據的一部分被空氣占據。

11.如權利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述犧牲材料在所述堆疊步驟之前被從所述多個子結構中的每一個移除。

12.如權利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述犧牲材料在所述堆疊步驟之后被從所述多個子結構中的每一個移除。

13.如權利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述中央導體的長度與直徑之間的比率大于30:1。

14.如權利要求8或9所述的方法，其特征在于，還包括：

在插入所述多個子結構之前電鍍所述過孔。