[發明專利]離子進入/離開裝置

有效

• 申請號: 201580024551.4
• 申請日: 2015-04-13
• 公開（公告）號: CN106463334B
• 公開（公告）日: 2018-04-17
• 發明（設計）人: 凱文·賈爾斯;大衛·J.·蘭格里奇;詹森·李·維爾德古斯
• 申請（專利權）人: 英國質譜公司
• 主分類號: H01J49/06
• 分類號: H01J49/06;H01J49/40;G01N27/62
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙)11201
• 代理人: 宋融冰

1.一種從離子遷移率分離裝置引入和射出離子的方法，所述方法包括：

提供具有至少兩個電極陣列的離子進入/離開裝置；

在第一模式中操作所述裝置，其中在第一方向上將DC電勢連續施加到所述電極陣列中的至少一個的連續電極，以使得電勢勢壘在所述第一方向上沿著所述至少一個陣列移動，且在所述第一方向上將離子驅動到所述裝置中和/或驅動離子到所述裝置之外；以及

在第二模式中操作所述裝置，其中在不同于第一方向的第二方向上將DC電勢連續施加到所述電極陣列中的至少一個的連續電極，以使得電勢勢壘在所述第二方向上沿著所述至少一個陣列移動，且在所述第二方向上將離子驅動到所述裝置中和/或驅動離子到所述裝置之外。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述至少兩個電極陣列彼此平行地布置。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中每一電極陣列包括布置成行和列的多個電極；且

其中在所述第一模式中，將所述DC電勢施加到第一行中的所述電極，且接著連續施加到不同行的電極，以使得所述電勢勢壘在所述第一方向上沿著所述陣列移動；和/或

其中在所述第二模式中，將所述DC電勢施加到第一列中的所述電極，且接著連續施加到不同列的電極，以使得所述電勢勢壘在所述第二方向上沿著所述陣列移動。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其進一步包括將RF電壓供應給所述電極陣列，以便在所述陣列之間的方向上限制離子。

5.根據權利要求1或2所述的方法，其中所述方法在所述第一模式中操作，且在所述第一方向上將離子載入到所述裝置中，且所述方法接著在所述第二模式中操作，且在所述第二方向上從所述裝置射出這些離子。

6.根據權利要求1或2所述的方法，其包括：

在離子進入所述離子進入/離開裝置中之前根據物理化學性質暫時分離離子；接著

接收所述離子進入/離開裝置中的所述離子；

在所述第一模式中操作所述離子進入/離開裝置，以使得在所述第一方向上從所述裝置射出所述暫時分離的離子；以及

在所述第二模式中暫時操作所述離子進入/離開裝置以便在所述第二方向上從所述裝置選擇性地射出具有所述物理化學性質的選定值或值范圍的離子。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述物理化學性質為質荷比或離子遷移率。

8.根據權利要求1所述的方法，其進一步包括在所述第一模式中從所述離子進入/離開裝置射出所述離子到第一離子導向器、離子阱或離子處理裝置中，且在所述第二模式中將所述離子射出到第二離子導向器中。

9.根據權利要求8所述的方法，其中所述第二離子導向器包括電極，且所述方法包括將DC電壓施加到所述第二離子導向器的電極，以便沿著所述第二離子導向器的縱軸驅動離子；且

其中沿著所述第二離子導向器的軸向長度施加任一靜態DC電勢梯度，以便沿著所述縱軸驅動離子；或

其中沿著所述第二離子導向器的所述軸向長度將一個或多個電勢施加到連續電極，以使得DC電勢勢壘沿著所述第二離子導向器的長度行進，且沿著所述第二離子導向器驅動離子。

10.根據權利要求8或9所述的方法，其中所述第二離子導向器為閉合回路離子導向器，所述閉合回路離子導向器與所述離子進入/離開裝置一起開始和結束，以使得在所述第二模式中，經由離開孔口驅動離子到所述離子進入/離開裝置之外，圍繞所述閉合回路離子導向器傳遞所述離子，且接著經由進入孔口將所述離子重新引入回到所述離子進入/離開裝置中。

11.根據權利要求10所述的方法，其中第二模式繼續操作以使得所述離子進入/離開裝置中的所述電勢勢壘在所述第二方向上移動，且在所述第二方向上再次推動所述重新引入的離子到所述離子進入/離開裝置之外，以使得所述離子再次圍繞所述第二離子導向器傳遞。

12.根據權利要求11所述的方法，其中DC電勢圍繞所述第二離子導向器行進，以便將離子從所述離子進入/離開裝置的所述離開孔口驅動到所述離子進入/離開裝置的所述進入孔口，且其中此行進DC電勢與在所述第二模式中的所述離子進入/離開裝置中的電勢勢壘同步，以使得行進DC電勢圍繞所述第二離子導向器連續行進，且穿過所述離子進入/離開裝置。