[發(fā)明專利]用于制造帶有比其他區(qū)相對更厚的局部受控區(qū)的薄半導(dǎo)體晶片的方法和裝置以及這種晶片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580021644.1 | 申請日： | 2015-04-17 |
| 公開（公告）號： | CN106233468B | 公開（公告）日： | 2019-11-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | E.M.薩赫斯;R.榮茨克;A.L.羅倫斯;R.L.華萊士;G.D.S.哈德爾森 | 申請（專利權(quán)）人： | 1366科技公司 |
| 主分類號： | H01L31/0236 | 分類號： | H01L31/0236 |
| 代理公司： | 72001 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 申屠偉進(jìn);張濤<國際申請>=PCT/US |
| 地址： | 美國馬*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 制造 帶有 其他 相對 局部 受控 半導(dǎo)體 晶片 方法 裝置 以及 這種 | ||
【說明書】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
