[發(fā)明專利]MEMS麥克風(fēng)封裝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580021205.0 | 申請日： | 2015-04-17 |
| 公開（公告）號： | CN107251575B | 公開（公告）日： | 2020-06-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | J.S.薩爾蒙 | 申請（專利權(quán)）人： | 羅伯特·博世有限公司 |
| 主分類號： | H04R19/04 | 分類號： | H04R19/04;B81B3/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 張雨;傅永霄 |
| 地址： | 德國斯*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | mems 麥克風(fēng) 封裝 | ||
1.一種微電子機械系統(tǒng)麥克風(fēng)封裝，包括：
多層基底；
上聲學(xué)端口，其形成為穿過所述多層基底的多個上層并且暴露膜部分的上表面；
下聲學(xué)端口，其形成為穿過所述多層基底的多個下層并且暴露所述膜部分的下表面；
環(huán)形槽，其形成為穿過所述多個上層中的至少一個并且暴露金屬環(huán)；
位于所述環(huán)形槽上方的微電子機械系統(tǒng)芯片；
銅柱環(huán)，其在所述金屬環(huán)與所述微電子機械系統(tǒng)芯片之間延伸；以及
定位在所述銅柱環(huán)的第一表面上的焊接柱環(huán)，所述銅柱環(huán)和所述焊接柱環(huán)將所述微電子機械系統(tǒng)芯片附接到所述金屬環(huán)。
2.如權(quán)利要求1所述的微電子機械系統(tǒng)麥克風(fēng)封裝，其中，所述膜部分包括防水膜。
3.如權(quán)利要求1所述的微電子機械系統(tǒng)麥克風(fēng)封裝，其中，所述第一表面是所述銅柱環(huán)的下表面。
4.如權(quán)利要求1所述的微電子機械系統(tǒng)麥克風(fēng)封裝，還包括：
后部腔，其限定在所述微電子機械系統(tǒng)芯片內(nèi)并且在上端部分上由蓋封閉，所述蓋定位在所述微電子機械系統(tǒng)芯片的上表面上。
5.如權(quán)利要求1所述的微電子機械系統(tǒng)麥克風(fēng)封裝，其中：
所述多個上層包括第一上金屬層和在所述第一上金屬層的上表面上的上焊接掩膜；并且
塑料包覆件定位在所述上焊接掩膜的上表面上，從而包圍所述微電子機械系統(tǒng)芯片。
6.如權(quán)利要求5所述的微電子機械系統(tǒng)麥克風(fēng)封裝，其中：
所述塑料包覆件在所述環(huán)形槽內(nèi)延伸。
7.如權(quán)利要求5所述的微電子機械系統(tǒng)麥克風(fēng)封裝，還包括：
延伸穿過所述上焊接掩膜的至少一個井，和
從所述微電子機械系統(tǒng)芯片向下延伸到所述至少一個井中的至少一個輸入/輸出柱，所述至少一個輸入/輸出柱包括上銅柱部分，通過使用定位在所述上銅柱部分的下表面上的焊接柱部分來將所述上銅柱部分焊接在所述至少一個井內(nèi)。
8.如權(quán)利要求7所述的微電子機械系統(tǒng)麥克風(fēng)封裝，其中：
所述多個上層包括中間預(yù)浸有機層和下金屬層，
所述中間預(yù)浸有機層位于所述上金屬層和所述下金屬層之間，
形成在所述上金屬層中的相應(yīng)的接觸墊位于所述至少一個井中的每個內(nèi)；以及
所述至少一個輸入/輸出柱焊接到所述相應(yīng)的接觸墊。
9.如權(quán)利要求8所述的微電子機械系統(tǒng)麥克風(fēng)封裝，還包括：
定位在所述下聲學(xué)端口中的金屬聲學(xué)密封環(huán)。
10.一種形成微電子機械系統(tǒng)麥克風(fēng)封裝的方法，包括：
穿過多層基底的多個上層來形成上聲學(xué)端口以暴露膜部分的上表面；
穿過所述多層基底的多個下層來形成下聲學(xué)端口以暴露所述膜部分的下表面；
穿過所述多個上預(yù)浸層中的至少一個來形成環(huán)形槽以暴露金屬環(huán)；
將微電子機械系統(tǒng)芯片定位在所述環(huán)形槽上方；并且
通過使用銅柱環(huán)和焊接柱環(huán)將所述微電子機械系統(tǒng)芯片附接到所述金屬環(huán)，所述銅柱環(huán)在所述金屬環(huán)與所述微電子機械系統(tǒng)芯片之間延伸，所述焊接柱環(huán)定位在所述銅柱環(huán)的第一表面上。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，形成所述上聲學(xué)端口包括：
穿過所述多層基底的所述多個上層來形成所述上聲學(xué)端口以暴露防水膜部分的上表面。
12.如權(quán)利要求10所述的方法，還包括：
將所述焊接柱環(huán)插入到所述環(huán)形槽中；并且
回流焊所述焊接柱環(huán)。
13.如權(quán)利要求10所述的方法，還包括：
在所述微電子機械系統(tǒng)芯片內(nèi)限定后部腔；并且
采用蓋封閉所述后部腔的上端部分。
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