[發(fā)明專(zhuān)利]通孔材料選擇和處理有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201580020697.1 | 申請(qǐng)日： | 2015-04-02 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN107004636B | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-07-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | J·J·朱;J·J·徐;S·S·宋;K·利姆;Z·王 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L21/768 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L21/768;H01L23/522;H01L23/532 |
| 代理公司： | 上海專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人： | 陳煒 |
| 地址： | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 材料 選擇 處理 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件，包括：
第一導(dǎo)電材料的第一通孔，所述第一通孔在第一導(dǎo)電互連層的第一部分與至少第一級(jí)上的第一中部制程MOL互連層之間，所述第一通孔是用單鑲嵌工藝來(lái)制造的，其中，所述第一導(dǎo)電互連層的所述第一部分是第二導(dǎo)電材料的并且所述第一通孔被布置在電介質(zhì)層中；
所述第二導(dǎo)電材料的第二通孔，所述第二通孔在所述第一導(dǎo)電互連層的第二部分與至少第二級(jí)上的第二MOL互連層之間，所述第二通孔和所述第一導(dǎo)電互連層是用雙鑲嵌工藝來(lái)制造的，其中，所述第一導(dǎo)電互連層的所述第二部分是所述第二導(dǎo)電材料的并且所述第二通孔被布置在所述電介質(zhì)層中，所述第一導(dǎo)電材料不同于所述第二導(dǎo)電材料；以及
電路，所述電路耦合到所述第一MOL互連層或所述第二MOL互連層之一，所述第一MOL互連層和所述第二MOL互連層被布置在所述電路與所述第一導(dǎo)電互連層之間。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一通孔的長(zhǎng)度不同于所述第二通孔的長(zhǎng)度。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一通孔的電阻不同于所述第二通孔的電阻。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一導(dǎo)電材料是鎢并且所述第二導(dǎo)電材料是銅。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一導(dǎo)電材料和所述第二導(dǎo)電材料中的至少一者是至少部分地基于所述第一通孔的縱橫比來(lái)選擇的。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一導(dǎo)電材料和所述第二導(dǎo)電材料中的至少一者是至少部分地基于耦合到所述第一MOL互連層和所述第二MOL互連層之一的所述電路來(lái)選擇的。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件被集成到移動(dòng)電話、機(jī)頂盒、音樂(lè)播放器、視頻播放器、娛樂(lè)單元、導(dǎo)航設(shè)備、計(jì)算機(jī)、手持式個(gè)人通信系統(tǒng)(PCS)單元、便攜式數(shù)據(jù)單元和/或固定位置數(shù)據(jù)單元中。
8.一種制造中部制程MOL半導(dǎo)體器件的方法，包括：
在電介質(zhì)層中制造第一導(dǎo)電材料的第一通孔，所述第一通孔在單鑲嵌工藝中耦合到第一級(jí)上的第一MOL互連層；以及
用雙鑲嵌工藝來(lái)制造第二導(dǎo)電材料的第二通孔和第一導(dǎo)電互連層，所述第二通孔是在所述電介質(zhì)層中制造的，所述第一導(dǎo)電互連層的第一部分耦合到所述第一通孔，所述第一導(dǎo)電材料不同于所述第二導(dǎo)電材料，所述第二通孔耦合到所述第一導(dǎo)電互連層的第二部分和第二級(jí)上的第二MOL互連層，其中，一電路耦合到所述第一MOL互連層或所述第二MOL互連層之一，所述第一MOL互連層和所述第二MOL互連層被布置在所述電路與所述第一導(dǎo)電互連層之間。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括：至少部分地基于所述第二通孔的縱橫比來(lái)選擇所述第二導(dǎo)電材料。
10.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括：至少部分地基于所述第一導(dǎo)電互連層與所述第二MOL互連層之間的期望電阻來(lái)選擇所述第二導(dǎo)電材料。
11.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一通孔的長(zhǎng)度不同于所述第二通孔的長(zhǎng)度。
12.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一通孔的電阻不同于所述第二通孔的電阻。
13.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電材料是鎢并且所述第二導(dǎo)電材料是銅。
14.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電材料和所述第二導(dǎo)電材料中的至少一者是至少部分地基于所述第一通孔的縱橫比來(lái)選擇的。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
