[發明專利]晶圓的彎曲的評價方法與使用此評價方法的晶圓的選別方法有效
| 申請號: | 201580020539.6 | 申請日: | 2015-03-12 |
| 公開(公告)號: | CN106255923B | 公開(公告)日: | 2018-04-20 |
| 發明(設計)人: | 齊藤久之 | 申請(專利權)人: | 信越半導體株式會社 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20;G01B21/20 |
| 代理公司: | 北京京萬通知識產權代理有限公司11440 | 代理人: | 許天易 |
| 地址: | 日本東京都千*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 彎曲 評價 方法 使用 | ||
1.一種晶圓的彎曲的評價方法,包含:
第一步驟,測量未吸附的自由狀態的晶圓的彎曲;以及
第二步驟,使用該經測量的晶圓的彎曲的數據,求出于通過晶圓面內的任意的點P的直線上以該點P作為中心而與該點P相隔距離a的點Q1與點Q2的兩點之間的晶圓彎曲量A,以及求出于同一直線以該點P作為中心而與該點P相隔不同于距離a的距離b的點R1與點R2的兩點之間的晶圓彎曲量B,根據該晶圓彎曲量A與該晶圓彎曲量B計算出于該點P中晶圓彎曲量的差,該晶圓彎曲量,是將與該點P相間隔預定距離的兩點處的晶圓內面的高度設為0,而求得該點P處的晶圓表面的高度,并根據所計算出的該晶圓彎曲量的差而評價晶圓的彎曲。
2.如權利要求1所述的晶圓的彎曲的評價方法,其中
該距離a及該距離b為在0.5~12.5mm之間,且(距離a-距離b)≧5mm。
3.如權利要求1或2所述的晶圓的彎曲的評價方法,其中
該晶圓彎曲量的差的計算,是至少于與晶圓面內的中心以直角相交的X軸、Y軸上的多個任意的點,計算出晶圓彎曲量的差。
4.一種晶圓的選別方法,以如權利要求1或2所述的晶圓的彎曲的評價方法所求出的晶圓彎曲量的差,而求出與光蝕處理的覆蓋不良的有無發生的相關關系,根據該相關關系而選出未發生覆蓋不良的晶圓。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于信越半導體株式會社,未經信越半導體株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201580020539.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





