[發(fā)明專(zhuān)利]帶隙電流中繼器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201580019618.5
• 申請(qǐng)日: 2015-03-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106170740B
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: N·V·丹恩;R·賈殷;T·B·蘭博爾;J·莊;M·C·翁
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 高通股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G05F3/30
• 分類(lèi)號(hào): G05F3/30
• 代理公司: 上海專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司31100
• 代理人: 亓云

1.串聯(lián)耦合的一系列電流中繼器中的電流中繼器，包括：

多個(gè)第一晶體管，其并聯(lián)耦合以共享內(nèi)部參考電流從而在所述多個(gè)第一晶體管的柵極處生成參考電壓；

多個(gè)第二晶體管，其并聯(lián)耦合以共享來(lái)自所述系列中的相繼電流中繼器的反饋參考電流，其中所述參考電壓被耦合至所述第一晶體管的柵極以及耦合至大多數(shù)所述第二晶體管的柵極，并且其中其余所述第二晶體管的柵極被配置成生成反饋電壓；

誤差放大器，其被配置成將所述參考電壓與所述反饋電壓作比較以生成誤差信號(hào)；以及

第一電流源，其被配置成響應(yīng)于所述誤差信號(hào)而驅(qū)動(dòng)經(jīng)轉(zhuǎn)發(fā)參考電流至所述相繼電流中繼器。

2.如權(quán)利要求1所述的電流中繼器，其特征在于，進(jìn)一步包括：

偏置電路，其被配置成響應(yīng)于來(lái)自所述系列中的前一電流中繼器的收到參考電流而生成第一偏置電壓；以及

第二電流源，其被配置成響應(yīng)于所述第一偏置電壓而生成局部參考電流從而所述局部參考電流是所述收到參考電流的副本。

3.如權(quán)利要求2所述的電流中繼器，其特征在于，進(jìn)一步包括：

第三電流源，其被配置成響應(yīng)于所述第一偏置電壓而生成所述內(nèi)部參考電流從而所述內(nèi)部參考電流是所述收到參考電流的副本。

4.如權(quán)利要求3所述的電流中繼器，其特征在于，進(jìn)一步包括對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)第一晶體管的多個(gè)第一共源共柵晶體管，并且其中每個(gè)第一共源共柵晶體管與相應(yīng)的第一晶體管串聯(lián)并被耦合至所述第三電流源。

5.如權(quán)利要求4所述的電流中繼器，其特征在于，進(jìn)一步包括對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)第二晶體管的多個(gè)第二共源共柵晶體管，并且其中每個(gè)第二共源共柵晶體管與相應(yīng)的第二晶體管串聯(lián)并被耦合至攜帶所述反饋參考電流的節(jié)點(diǎn)。

6.如權(quán)利要求5所述的電流中繼器，其特征在于，所述偏置電路被進(jìn)一步配置成響應(yīng)于所述收到參考電流而生成第二偏置電壓，并且其中所述第一共源共柵晶體管的柵極和所述第二共源共柵晶體管的柵極全都被耦合至所述第二偏置電壓。

7.如權(quán)利要求6所述的電流中繼器，其特征在于，所述多個(gè)第一晶體管的柵極被分別耦合至所述多個(gè)第一共源共柵晶體管的漏極，并且其中其余所述第二晶體管的柵極被分別耦合至所述多個(gè)第二共源共柵晶體管的漏極。

8.如權(quán)利要求3所述的電流中繼器，其特征在于，進(jìn)一步包括：

第四電流源，其被配置成響應(yīng)于所述第一偏置電壓而將局部反饋參考電流驅(qū)至所述系列中的所述前一電流中繼器，其中所述局部反饋參考電流是所述收到參考電流的副本。

9.如權(quán)利要求1所述的電流中繼器，其特征在于，所述第一電流源包括PMOS晶體管。

10.如權(quán)利要求2所述的電流中繼器，其特征在于，進(jìn)一步包括局部電路，其被配置成接收所述局部參考電流，其中所述局部電路選自下組：SERDES、鎖相環(huán)(PLL)、和模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)。

11.一種針對(duì)串聯(lián)耦合的一系列電流中繼器中的電流中繼器的方法，包括：

驅(qū)動(dòng)內(nèi)部參考電流至并聯(lián)耦合的多個(gè)第一晶體管從而驅(qū)動(dòng)所述內(nèi)部參考電流的一部分通過(guò)每個(gè)第一晶體管；

將來(lái)自所述系列中的后續(xù)電流中繼器的反饋參考電流驅(qū)至并聯(lián)耦合的多個(gè)第二晶體管從而驅(qū)動(dòng)所述反饋參考電流的一部分通過(guò)每個(gè)第二晶體管；

響應(yīng)于在每個(gè)第一晶體管的柵極和在大多數(shù)所述第二晶體管的柵極處形成的參考電壓與在其余少數(shù)所述第二晶體管的柵極處形成的反饋電壓之差而生成誤差信號(hào)；

響應(yīng)于所述誤差信號(hào)而生成經(jīng)轉(zhuǎn)發(fā)參考電流；以及

將所述經(jīng)轉(zhuǎn)發(fā)參考電流驅(qū)至所述系列中的后續(xù)電流中繼器。

12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括：

從所述系列中的前一電流中繼器接收局部經(jīng)轉(zhuǎn)發(fā)參考電流；以及

復(fù)制所收到的局部經(jīng)轉(zhuǎn)發(fā)參考電流以形成所述內(nèi)部參考電流。

13.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，生成所述誤差信號(hào)包括在差分放大器中放大所述差。

14.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括：

復(fù)制所述局部經(jīng)轉(zhuǎn)發(fā)參考電流以形成局部參考電流；以及

將所述局部參考電流驅(qū)至被配置成接收所述局部參考電流的局部電路。