[發明專利]鋁制包層材料和它的制造方法、熱交換器用鋁制包層材料和它的制造方法、以及使用了該熱交換器用鋁制包層材料的鋁制熱交換器和它的制造方法

有效

• 申請號: 201580019462.0
• 申請日: 2015-04-21
• 公開（公告）號: CN106170571B
• 公開（公告）日: 2018-04-10
• 發明（設計）人: 寺山和子;大谷良行;島田隆登志
• 申請（專利權）人: 株式會社UACJ
• 主分類號: C22C21/00
• 分類號: C22C21/00;B23K20/04;C22F1/05;C23C26/00;F28F19/06;F28F21/08;C22F1/00
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司11322
• 代理人: 龍淳,呂秀平

1.一種鋁制包層材料，其特征在于：

具備鋁合金的芯材、以及在該芯材的至少一側的面上包層的犧牲陽極材料層，所述犧牲陽極材料層由鋁合金構成，所述犧牲陽極材料層的鋁合金含有Si：0.10質量％以上且小于1.50質量％，Mg：0.10～2.00質量％，剩余部分含有Al和不可避免的雜質，存在于所述犧牲陽極材料層的當量圓直徑是0.1～5.0μm的Mg－Si系結晶物為100～150000個/mm²，當量圓直徑超過5.0μm且10.0μm以下的Mg－Si系結晶物為7個/mm²以下。

2.如權利要求1所述的鋁制包層材料，其特征在于：

所述犧牲陽極材料層的鋁合金還含有選自Fe：0.05～1.00質量％、Ni：0.05～1.00質量％、Cu：0.05～1.00質量％、Mn：0.05～1.50質量％、Zn：0.05～1.00質量％、Ti：0.05～0.30質量％、Zr：0.05～0.30質量％、Cr：0.05～0.30質量％以及V：0.05～0.30質量％中的一種以上。

3.如權利要求1或2所述的鋁制包層材料，其特征在于：

在所述鋁合金的芯材的一側的面上包層有犧牲陽極材料層，在另一側的面上包層有焊料層。

4.如權利要求1或2所述的鋁制包層材料，其特征在于：

在觀察用的以175℃、5小時的增感處理之后，從所述犧牲陽極材料層表面到5μm的深度的區域中，觀察到的長度是10～1000nm的Mg－Si系析出物為1000～100000個/μm³。

5.如權利要求3所述的鋁制包層材料，其特征在于：

在觀察用的以175℃、5小時的增感處理之后，從所述犧牲陽極材料層表面到5μm的深度的區域中，觀察到的長度是10～1000nm的Mg－Si系析出物為1000～100000個/μm³。

6.一種熱交換器用鋁制包層材料，其特征在于：

具備鋁合金的芯材、以及在所述芯材的至少一側的面上包層的犧牲陽極材料層，所述犧牲陽極材料層由鋁合金構成，所述犧牲陽極材料層的鋁合金含有Si：0.10質量％以上且小于1.50質量％，Mg：0.10～2.00質量％，剩余部分含有Al和不可避免的雜質，

在相當于釬焊的加熱后，(1)所述犧牲陽極材料層表面的Mg濃度為0.10質量％以上且Si濃度為0.05％質量以上；(2)從所述犧牲陽極材料層表面到30μm以上的深度的區域中存在Mg和Si的雙方；(3)存在于所述犧牲陽極材料層的當量圓直徑是0.1～5.0μm的Mg－Si系結晶物為100～150000個/mm²，當量圓直徑超過5.0μm且10.0μm以下的Mg－Si系結晶物為7個/mm²以下。

7.如權利要求6所述的熱交換器用鋁制包層材料，其特征在于：

所述犧牲陽極材料層的鋁合金中還含有選自Fe：0.05～1.00質量％、Ni：0.05～1.00質量％、Cu：0.05～1.00質量％、Mn：0.05～1.50質量％、Zn：0.05～1.00質量％、Ti：0.05～0.30質量％、Zr：0.05～0.30質量％、Cr：0.05～0.30質量％以及V：0.05～0.30質量％中的一種以上。

8.如權利要求6或7所述的熱交換器用鋁制包層材料，其特征在于：

在所述鋁合金的芯材的一側的面上包層有犧牲陽極材料層，在另一側的面上包層有焊料層。

9.如權利要求6或7所述的熱交換器用鋁制包層材料，其特征在于：

在相當于釬焊的加熱后，(4)在觀察用的以175℃、5小時的增感處理后，從所述犧牲陽極材料層表面到5μm的深度的區域中，觀察到的長度是10～1000nm的Mg－Si系析出物為1000～100000個/μm³。

10.如權利要求8所述的熱交換器用鋁制包層材料，其特征在于：

在相當于釬焊的加熱后，(4)在觀察用的以175℃、5小時的增感處理后，從所述犧牲陽極材料層表面到5μm的深度的區域中，觀察到的長度是10～1000nm的Mg－Si系析出物為1000～100000個/μm³。