[發明專利]Fe基納米晶合金磁芯和Fe基納米晶合金磁芯的制造方法

有效

• 申請號: 201580019461.6
• 申請日: 2015-06-10
• 公開（公告）號: CN106170837B
• 公開（公告）日: 2018-04-10
• 發明（設計）人: 森次仲男
• 申請（專利權）人: 日立金屬株式會社
• 主分類號: H01F27/24
• 分類號: H01F27/24;H01F1/153;H01F41/02
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司11322
• 代理人: 龍淳

1.一種Fe基納米晶合金磁芯，其為卷繞Fe基納米晶合金帶材而成的磁芯，其特征在于：

在頻率為10kHz時，所述磁芯的阻抗相對導磁率μrz為90,000以上；

在頻率為100kHz時，所述磁芯的阻抗相對導磁率μrz為40,000以上；并且

在頻率為1MHz時，所述磁芯的阻抗相對導磁率μrz為8,500以上。

2.如權利要求1所述的Fe基納米晶合金磁芯，其特征在于：

在頻率為10kHz時，所述磁芯的阻抗相對導磁率μrz為105,000以上；

在頻率為100kHz時，所述磁芯的阻抗相對導磁率μrz為45,000以上；并且

在頻率為1MHz時，所述磁芯的阻抗相對導磁率μrz為9,000以上。

3.如權利要求1或2所述的Fe基納米晶合金磁芯，其特征在于：

所述Fe基納米晶合金帶材的厚度在9μm以上20μm以下。

4.一種Fe基納米晶合金磁芯的制造方法，所述磁芯是卷繞Fe基納米晶合金帶材而成的，在將能夠納米晶化的Fe基非晶合金帶材卷繞之后，具有加熱到晶化溫度區域、然后進行冷卻的熱處理步驟，所述磁芯的制造方法的特征在于，包括：

所述熱處理步驟包括磁場施加步驟，限定在與差示掃描熱量計測出的從比晶化開始溫度高25℃的溫度至比晶化開始溫度高60℃的溫度對應的升溫期間中的溫度范圍內，以10分鐘以上60分鐘以下的時間在所述磁芯的高度方向上施加磁場。

5.如權利要求4所述的Fe基納米晶合金磁芯的制造方法，其特征在于：

所述熱處理步驟包括磁場施加步驟，限定在與差示掃描熱量計測出的從比晶化開始溫度高30℃的溫度至比晶化開始溫度高50℃的溫度對應的所述升溫期間中的溫度范圍內，以15分鐘以上40分鐘以下的時間在所述磁芯的高度方向上施加磁場。

6.如權利要求4或5所述的Fe基納米晶合金磁芯的制造方法，其特征在于：

在所述磁芯的高度方向上施加磁場強度為50kA/m以上300kA/m以下的磁場。

7.如權利要求4或5所述的Fe基納米晶合金磁芯的制造方法，其特征在于：

所述Fe基納米晶合金帶材的厚度為9μm以上20μm以下。

8.如權利要求6所述的Fe基納米晶合金磁芯的制造方法，其特征在于：

所述Fe基納米晶合金帶材的厚度為9μm以上20μm以下。

9.如權利要求4或5所述的Fe基納米晶合金磁芯的制造方法，其特征在于：

在頻率為10kHz時，所制造的磁芯的阻抗相對導磁率μrz為90,000以上；

在頻率為100kHz時，所制造的磁芯的阻抗相對導磁率μrz為40,000以上；并且

在頻率為1MHz時，所制造的磁芯的阻抗相對導磁率μrz為8,500以上。

10.如權利要求6所述的Fe基納米晶合金磁芯的制造方法，其特征在于：

在頻率為10kHz時，所制造的磁芯的阻抗相對導磁率μrz為90,000以上；

在頻率為100kHz時，所制造的磁芯的阻抗相對導磁率μrz為40,000以上；并且

在頻率為1MHz時，所制造的磁芯的阻抗相對導磁率μrz為8,500以上。

11.如權利要求7所述的Fe基納米晶合金磁芯的制造方法，其特征在于：

在頻率為10kHz時，所制造的磁芯的阻抗相對導磁率μrz為90,000以上；

在頻率為100kHz時，所制造的磁芯的阻抗相對導磁率μrz為40,000以上；并且

在頻率為1MHz時，所制造的磁芯的阻抗相對導磁率μrz為8,500以上。

12.如權利要求8所述的Fe基納米晶合金磁芯的制造方法，其特征在于：

在頻率為10kHz時，所制造的磁芯的阻抗相對導磁率μrz為90,000以上；

在頻率為100kHz時，所制造的磁芯的阻抗相對導磁率μrz為40,000以上；并且

在頻率為1MHz時，所制造的磁芯的阻抗相對導磁率μrz為8,500以上。