[發明專利]于半導體薄膜的應變松弛的異質外延中用于缺陷的有效深寬比捕捉的具傾角的溝槽的使用有效
| 申請號： | 201580019086.5 | 申請日： | 2015-03-18 |
| 公開（公告）號： | CN106165104B | 公開（公告）日： | 2019-10-29 |
| 發明（設計）人： | 斯瓦米納坦·T·斯里尼瓦桑;法里恩·阿德尼·哈賈;埃羅爾·安東尼奧·C·桑切斯;帕特里克·M·馬丁 | 申請（專利權）人： | 應用材料公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國;趙靜 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 薄膜 應變 松弛 外延 用于 缺陷 有效 捕捉 傾角 溝槽 使用 | ||
【說明書】：
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