[發(fā)明專利]火花塞有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201580018776.9 | 申請(qǐng)日: | 2015-03-03 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106170899B | 公開(公告)日: | 2017-11-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 小林勉;五十嵐智行 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 日本特殊陶業(yè)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01T13/36 | 分類號(hào): | H01T13/36 |
| 代理公司: | 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11219 | 代理人: | 李罡,陸錦華 |
| 地址: | 日本愛知*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 火花塞 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及火花塞。
背景技術(shù)
作為火花塞,已知有具備在內(nèi)側(cè)保持中心電極的絕緣體和在內(nèi)側(cè)保持絕緣體的主體配件的結(jié)構(gòu)。在這樣的火花塞中,為了確保絕緣體與主體配件之間的氣密而在絕緣體與主體配件之間夾持片式密封墊(例如,參照專利文獻(xiàn)1)。
在火花塞的中心電極成為過度的溫度(例如,950℃以上)時(shí),在火花放電發(fā)生之前,會(huì)出現(xiàn)中心電極成為熱源而引燃的預(yù)點(diǎn)火(過早引燃)的情況。在火花塞中,為了防止預(yù)點(diǎn)火而調(diào)整了將因燃燒而受到的熱量向周圍發(fā)散的程度即熱值(散熱性)。作為使中心電極的熱量發(fā)散的路徑之一,存在從保持中心電極的絕緣體經(jīng)由片式密封墊至主體配件的路徑。主體配件的熱量向安裝火花塞的內(nèi)燃機(jī)的缸蓋發(fā)散。
近年來,為了同時(shí)實(shí)現(xiàn)內(nèi)燃機(jī)的輸出提高和燃耗提高這兩者,要求更高地設(shè)定燃燒室內(nèi)的溫度。而且,從提高內(nèi)燃機(jī)的設(shè)計(jì)自由度的觀點(diǎn)出發(fā),要求火花塞的小型化。根據(jù)這些情況,火花塞處于因燃燒而受到的熱量容易蓄積的傾向。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:國(guó)際公開第2011/125306號(hào)
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題
在專利文獻(xiàn)1的火花塞中,關(guān)于通過從絕緣體經(jīng)由片式密封墊至主體配件的路徑使熱量充分發(fā)散的情況未進(jìn)行充分的研究。
用于解決課題的方案
本發(fā)明為了解決上述的課題而作出,可以作為以下的方式實(shí)現(xiàn)。
(1)根據(jù)本發(fā)明的一方式,提供一種火花塞,具備:絕緣體,呈從后端側(cè)向前端側(cè)沿著與軸線平行的軸線方向延伸的筒狀,且形成有具有朝向所述前端側(cè)的面的臺(tái)階部;主體配件,呈在內(nèi)側(cè)保持所述絕緣體的筒狀,且形成有對(duì)所述臺(tái)階部進(jìn)行支撐的隔架部和在比所述隔架部靠所述后端側(cè)處與所述隔架部相連的中孔部;及片式密封墊,夾持在所述臺(tái)階部與所述隔架部之間。在該火花塞中,在通過所述軸線的所述火花塞的截面中,由所述軸線分割的兩個(gè)單側(cè)截面中的一方的單側(cè)截面中所述片式密封墊與所述主體配件接觸的長(zhǎng)度A1(mm)與所述一方的單側(cè)截面中所述片式密封墊與所述絕緣體接觸的長(zhǎng)度A2(mm)相加的長(zhǎng)度為長(zhǎng)度A(mm),所述兩個(gè)單側(cè)截面中的與所述一方的單側(cè)端面不同的另一方的單側(cè)截面中所述片式密封墊與所述主體配件接觸的長(zhǎng)度B1(mm)與所述另一方的單側(cè)截面中所述片式密封墊與所述絕緣體接觸的長(zhǎng)度B2(mm)相加的長(zhǎng)度為長(zhǎng)度B(mm),從所述中孔部的內(nèi)徑C(mm)減去所述隔架部的內(nèi)徑D(mm)得到的差量為差量M(mm),所述長(zhǎng)度A、所述長(zhǎng)度B、所述差量M的關(guān)系滿足2.8≤(A+B)/M。根據(jù)該方式,能夠充分地確保絕緣體與片式密封墊接觸的面積、片式密封墊與主體配件接觸的面積,因此能夠提高通過從絕緣體經(jīng)由片式密封墊至主體配件的路徑的散熱性。
(2)在上述方式的火花塞中,可以是,所述截面中的所述主體配件的部分中的位于距與所述片式密封墊接觸的界面0.2mm深度的部分的平均維氏硬度E為240HV以上,所述截面中的所述片式密封墊的平均維氏硬度F為100HV以上,且小于所述平均維氏硬度E。根據(jù)該方式,能夠防止由于片式密封墊過于壓扁而絕緣體相對(duì)于主體配件的位置向前端側(cè)過度偏移的情況,并且能夠提高通過從絕緣體經(jīng)由片式密封墊至主體配件的路徑的散熱性。
(3)在上述方式的火花塞中,可以是,所述隔架部具有朝向所述后端側(cè)的內(nèi)表面,在所述截面中,所述內(nèi)表面的中點(diǎn)處的所述片式密封墊的厚度為0.15mm以上且0.20mm以下。根據(jù)該方式,能夠通過片式密封墊確保充分的壓扁量而維持將絕緣體組裝于主體配件的精度,并且能夠進(jìn)一步提高通過從絕緣體經(jīng)由片式密封墊至主體配件的路徑的散熱性。
(4)在上述方式的火花塞中,可以是,在所述主體配件的外周形成有標(biāo)稱直徑M14以下的陽螺紋。根據(jù)該方式,在標(biāo)稱直徑M14以下的陽螺紋形成于主體配件的火花塞中,能夠提高散熱性。
(5)在上述方式的火花塞中,可以是,所述陽螺紋的標(biāo)稱直徑為M10以下。根據(jù)該方式,在標(biāo)稱直徑M10以下的陽螺紋形成于主體配件的火花塞中,能夠提高散熱性。
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