[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置、積層型半導(dǎo)體裝置、密封后積層型半導(dǎo)體裝置以及這些裝置的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580018117.5 | 申請日： | 2015-03-16 |
| 公開（公告）號： | CN106415823B | 公開（公告）日： | 2019-03-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 竹村勝也;曾我恭子;淺井聰;近藤和紀(jì);菅生道博;加藤英人 | 申請（專利權(quán)）人： | 信越化學(xué)工業(yè)株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/12 | 分類號： | H01L23/12;C25D5/02;C25D7/00;H01L21/312;H01L23/52;H01L25/10;H01L25/11;H01L25/18;H05K1/11;H05K3/00;H05K3/28;H05K3/40 |
| 代理公司： | 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人： | 李英艷 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 積層型 密封 后積層型 以及 這些 制造 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
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