[發(fā)明專利]用于形成交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器的置換材料工藝

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580016818.5
• 申請日: 2015-03-25
• 公開（公告）號(hào): CN106165085B
• 公開（公告）日: 2018-01-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宗沅·李;詹保羅·斯帕迪尼;斯蒂芬·W·魯塞爾;德辰·郭
• 申請（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號(hào): H01L21/8239
• 分類號(hào): H01L21/8239
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11287
• 代理人: 路勇

1.一種形成存儲(chǔ)器單元的方法，其包括：

提供在第一方向上延伸的下部線堆疊，所述下部線堆疊包括在下部導(dǎo)電線上方的犧牲線；及

通過選擇性地移除所述犧牲線的犧牲材料并用包含硫?qū)倩锊牧虾土硪环N材料的材料堆疊置換所述經(jīng)移除犧牲材料而形成在所述第一方向上延伸的硫?qū)倩锞€。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中提供所述下部線堆疊包括：減性地圖案化所述下部線堆疊，減性地圖案化所述下部線堆疊包括：

提供包含下部導(dǎo)電材料及所述下部導(dǎo)電材料上方的所述犧牲材料的下部堆疊；及

蝕刻所述犧牲材料及所述下部導(dǎo)電材料以形成所述下部線堆疊。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其進(jìn)一步包括：

減性地圖案化在所述下部線堆疊上方且在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸的上部線堆疊，減性地圖案化所述上部線堆疊包括：

提供包括在所述下部線堆疊上方的上部導(dǎo)電材料的上部堆疊；及

蝕刻所述上部導(dǎo)電材料以形成包括上部導(dǎo)電線的所述上部線堆疊。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中減性地圖案化所述上部線堆疊進(jìn)一步包括：蝕刻所述硫?qū)倩锞€以形成在第一方向及第二方向兩者上被電隔離的硫?qū)倩镌?/p>

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中減性地圖案化所述下部線堆疊進(jìn)一步包含：提供并蝕刻在所述下部導(dǎo)電材料與所述犧牲材料之間的下部硫?qū)倩锊牧弦孕纬伤鱿虏繉?dǎo)電線上方的下部硫?qū)倩锞€。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中減性地圖案化所述下部線堆疊進(jìn)一步包含：提供并蝕刻在所述下部導(dǎo)電材料與所述下部硫?qū)倩锊牧现g的下部電極材料以形成所述下部導(dǎo)電線上的下部電極線。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中減性地圖案化所述上部線堆疊進(jìn)一步包括：提供并蝕刻在所述上部導(dǎo)電線與所述硫?qū)倩锞€之間的上部硫?qū)倩锊牧弦孕纬稍谒龅诙较蛏涎由斓纳喜苛驅(qū)倩锞€。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中減性地圖案化所述下部線堆疊包括：提供并蝕刻在所述下部導(dǎo)電材料與所述犧牲材料之間的下部電極層以形成所述下部導(dǎo)電線上的下部電極線。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中形成所述硫?qū)倩锞€進(jìn)一步包含：選擇性地移除所述硫?qū)倩锊牧系囊徊糠忠栽谟秒娊橘|(zhì)填充的兩個(gè)空間之間形成間隙，用中間電極材料填充所述間隙，及進(jìn)行平面化以形成包括交替的中間電極線與硫?qū)倩锞€的表面。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中減性地圖案化所述上部線堆疊進(jìn)一步包括：蝕刻所述中間電極線以形成在第一方向及第二方向兩者上被電隔離的中間電極。

11.一種形成存儲(chǔ)器單元的方法，其包括：

提供在第一方向上延伸的下部線堆疊，所述下部線堆疊包括在下部導(dǎo)電線上方的硫?qū)倩锞€；

提供在所述下部線堆疊上方且在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸的上部線堆疊，所述上部線堆疊包括在所述下部線堆疊上方的犧牲線；及

通過選擇性地移除所述犧牲線的犧牲材料并用上部導(dǎo)電材料置換所述經(jīng)移除犧牲材料而形成在所述第二方向上延伸的上部導(dǎo)電線。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中提供所述下部線堆疊包括：減性地圖案化所述下部線堆疊，減性地圖案化包括：

提供包含下部導(dǎo)電材料及所述下部導(dǎo)電材料上方的硫?qū)倩锊牧系南虏慷询B；及

蝕刻所述下部導(dǎo)電材料及所述硫?qū)倩锊牧弦孕纬伤鱿虏烤€堆疊。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中提供所述上部線堆疊包括：減性地圖案化所述上部線堆疊，減性地圖案化包括：

提供包含在所述硫?qū)倩锞€上方的所述犧牲材料的上部堆疊；及

蝕刻所述上部堆疊以形成所述上部線堆疊。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中減性地圖案化所述下部線堆疊進(jìn)一步包含：

提供并蝕刻在硫?qū)倩锊牧仙戏降纳喜苛驅(qū)倩锊牧希患?/p>

進(jìn)行蝕刻以形成在所述硫?qū)倩锞€上方且在所述第一方向上延伸的上部硫?qū)倩锞€。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中減性地圖案化所述上部線堆疊進(jìn)一步包含：蝕刻上部硫?qū)倩锞€以形成在第一方向及第二方向兩者上被電隔離的上部硫?qū)倩镌?/p>