[發(fā)明專利]在鋁等離子體裝備部件上生成緊密的氧化鋁鈍化層有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201580016760.4 | 申請日： | 2015-03-18 |
| 公開（公告）號： | CN106165069B | 公開（公告）日： | 2021-01-01 |
| 發(fā)明（設計）人： | S·J·金;L·卡琳塔;Y·帕里克;A·卡達姆;P·S·古拉迪雅;B·塔庫爾;D·盧博米爾斯基 | 申請（專利權）人： | 應用材料公司 |
| 主分類號： | H01L21/3065 | 分類號： | H01L21/3065;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 侯穎媖 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 等離子體 裝備 部件 生成 緊密 氧化鋁 鈍化 | ||
【權利要求書】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
