[發(fā)明專利]用于微光刻投射曝光設(shè)備的照明裝置的EUV光源

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201580015584.2
• 申請日: 2015-02-27
• 公開（公告）號: CN106133609B
• 公開（公告）日: 2018-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: M.帕特拉
• 申請（專利權(quán)）人: 卡爾蔡司SMT有限責(zé)任公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;H05H7/04;H05G2/00;H01S3/09;H01F7/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所11105
• 代理人: 陳钘,張邦帥

1.一種用于微光刻投射曝光設(shè)備的照明裝置的EUV光源，其中，所述EUV光源包括用于產(chǎn)生電子束的電子源(110)、用于加速所述電子束的加速器單元(120)以及用于通過偏轉(zhuǎn)電子束來產(chǎn)生EUV光的波動器布置(100)，其中，所述波動器布置(100)包括：

·第一波動器(101)，用于產(chǎn)生具有第一偏振狀態(tài)的EUV光；以及

·至少一個第二波動器(102)，用于產(chǎn)生具有第二偏振狀態(tài)的EUV光，其中，第二偏振狀態(tài)與第一偏振狀態(tài)不同，

·其中，所述第二波動器(102)沿電子束的傳播方向布置在所述第一波動器(101)的下游，并且

·其中，所述波動器布置(100)構(gòu)造成其具有第一操作模式和至少一個第二操作模式，在第一操作模式中，第一波動器(101)關(guān)于EUV光的產(chǎn)生處于飽和，在至少一個第二操作模式中，第一波動器(101)關(guān)于EUV光的產(chǎn)生不處于飽和。

2.如權(quán)利要求1所述的EUV光源，其特征在于，所述波動器布置(100)構(gòu)造成在至少一個操作模式中，通過第二波動器(102)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)生EUV光的至少90％的比例。

3.如權(quán)利要求1或2所述的EUV光源，其特征在于，所述波動器布置(100)構(gòu)造成在至少一個操作模式中，通過第一波動器(101)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)生EUV光的至少90％的比例。

4.如權(quán)利要求1或2所述的EUV光源，其特征在于，所述波動器布置(100)構(gòu)造成在至少一個操作模式中，通過第一波動器(101)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)生EUV光的至少40％的比例，通過第二波動器(102)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)生EUV光的至少40％的比例。

5.如上述權(quán)利要求1或2所述的EUV光源，其特征在于，通過在電子束進(jìn)入波動器布置(100)之前修改電子束，以可變的方式設(shè)定由波動器布置(100)產(chǎn)生的EUV光的偏振狀態(tài)。

6.如上述權(quán)利要求5所述的EUV光源，其特征在于，通過在電子束進(jìn)入波動器布置(100)之前修改電子束的增益長度，以可變的方式設(shè)定由波動器布置(100)產(chǎn)生的EUV光的偏振狀態(tài)。

7.如上述權(quán)利要求1所述的EUV光源，其特征在于，所述EUV光源包括用于聚焦電子束的多個四極磁體，電流可施加到四極磁體，其中，至少部分地通過改變所述四極磁體中的至少一個的電流來實(shí)現(xiàn)第一操作模式和第二操作模式之間的切換。

8.如上述權(quán)利要求1所述的EUV光源，其特征在于，第一偏振狀態(tài)和第二偏振狀態(tài)彼此正交。

9.如上述權(quán)利要求1、2、7或8所述的EUV光源，其特征在于，所述波動器布置(100)還構(gòu)造成由第一波動器(101)產(chǎn)生的第一光束和由第二波動器(102)產(chǎn)生的第二光束以空間彼此分離的方式被供給到照明裝置。

10.如上述權(quán)利要求1、2、7或8所述的EUV光源，其特征在于，所述第一波動器和所述第二波動器布置成電子束在第一波動器(101)中的傳播方向和電子束在第二波動器(102)中的傳播方向彼此傾斜。

11.如上述權(quán)利要求1、2、7或8所述的EUV光源，其特征在于，所述波動器布置(100)還構(gòu)造成由第一波動器(101)產(chǎn)生的第一光束和由第二波動器(102)產(chǎn)生的第二光束在被供給到照明裝置期間彼此重疊。

12.一種微光刻投射曝光設(shè)備，包括照明裝置(503)和投射透鏡(506)，其特征在于，所述微光刻投射曝光設(shè)備包括如上述權(quán)利要求中任一項所述的EUV光源。