[發明專利]用于多步驟磁性隧道結(MTJ)蝕刻的替代導電硬掩模有效
| 申請號: | 201580015190.7 | 申請日: | 2015-03-16 |
| 公開(公告)號: | CN106104830B | 公開(公告)日: | 2017-10-20 |
| 發明(設計)人: | Y·陸;C·樸;W-C·陳 | 申請(專利權)人: | 高通股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L43/12 | 分類號: | H01L43/12;H01L43/02;H01L43/08 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司31100 | 代理人: | 亓云 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 步驟 磁性 隧道 mtj 蝕刻 替代 導電 硬掩模 | ||
1.一種磁性隧道結MTJ裝置,包括:
第二電極層上的第一導電硬掩模,所述第二電極層在MTJ層堆疊上并電耦合至所述MTJ層堆疊;
所述第一導電硬掩模的側壁、所述第二電極層的側壁以及所述MTJ層堆疊的表面上的第一間隔體;以及
與所述第一間隔體的側壁對準的第二導電硬掩模,所述第二導電硬掩模在所述第一導電硬掩模和所述第一間隔體上,其中所述第二導電硬掩模被安排成與所述第一導電硬掩模和所述第二電極層交疊并且其中所述MTJ層堆疊的橫向尺寸與所述第二導電硬掩模的橫向尺寸對準。
2.如權利要求1所述的MTJ裝置,其特征在于,所述第二導電硬掩模電耦合至所述第一導電硬掩模。
3.如權利要求1所述的MTJ裝置,其特征在于,所述第二導電硬掩模是由鉭、鉿和鉑構成的組中的材料。
4.如權利要求1所述的MTJ裝置,其特征在于,所述第一間隔體的厚度在10納米與50納米之間。
5.如權利要求1所述的MTJ裝置,其特征在于,所述第一間隔體上的第一介電層是SiNx材料。
6.如權利要求1所述的MTJ裝置,其特征在于,進一步包括電耦合至所述MTJ層堆疊的第一電極層。
7.如權利要求6所述的MTJ裝置,其特征在于,進一步包括所述第一電極層和所述第二導電硬掩模上的第二間隔體。
8.如權利要求7所述的MTJ裝置,其特征在于,進一步包括所述MTJ層堆疊的側壁上、所述第一間隔體的側壁上以及所述第二導電硬掩模的側壁上的所述第二間隔體。
9.如權利要求7所述的MTJ裝置,其特征在于,進一步包括所述第二間隔體上的第二介電層。
10.如權利要求9所述的MTJ裝置,其特征在于,進一步包括延伸通過所述第二間隔體和所述第二介電層并電耦合至所述第二導電硬掩模的導電互連。
11.如權利要求1所述的MTJ裝置,其特征在于,所述MTJ裝置被集成到移動電話、機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航設備、計算機、手持式個人通信系統(PCS)單元、便攜式數據單元、和/或固定位置數據單元中。
12.一種磁性隧道結MTJ裝備,包括:
用于掩蓋耦合至MTJ層堆疊的第一電極層以及用于提供至所述第一電極層的導電路徑的第一裝置,所述第一裝置鄰接所述第一電極層;
用于保護所述第一裝置的側壁的裝置,所述用于保護的裝置鄰接所述第一裝置的所述側壁、所述第一電極層的側壁、以及所述MTJ層堆疊的表面;以及
用于掩蓋MTJ層堆疊以及用于電耦合至所述導電路徑的第二裝置,所述第二裝置與所述用于保護的裝置的側壁對準并鄰接所述第一裝置的表面,其中所述第二裝置被安排成與所述第一裝置和所述第一電極層交疊并且其中所述MTJ層堆疊的橫向尺寸與所述第二裝置的橫向尺寸對準。
13.如權利要求12所述的MTJ裝備,其特征在于,所述MTJ裝備被集成到移動電話、機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航設備、計算機、手持式個人通信系統(PCS)單元、便攜式數據單元、和/或固定位置數據單元中。
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