[發明專利]晶體管、半導體膜、半導體材料及它們的制造或合成方法、化合物、晶體管用材料、涂布液有效
| 申請號： | 201580014491.8 | 申請日： | 2015-03-26 |
| 公開（公告）號： | CN106104833B | 公開（公告）日： | 2019-05-14 |
| 發明（設計）人： | 津山博昭;野村公篤;宇佐美由久;福崎英治;小柳雅史;北村哲;渡邊哲也;岡本敏宏;竹谷純一 | 申請（專利權）人： | 富士膠片株式會社;國立大學法人東京大學 |
| 主分類號： | H01L51/30 | 分類號： | H01L51/30;C07D493/14;C07D495/14;C07D497/14;C07D513/14;C07D517/14;C07D519/00;H01L21/336;H01L21/368;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人： | 龐東成;張志楠 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 有機 晶體管 化合物 發光 半導體器件 半導體材料 晶體 管用 材料 用涂布液 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的，如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
