[發明專利]氧化物燒結體、濺射用靶及使用該靶得到的氧化物半導體薄膜在審
| 申請號： | 201580013205.6 | 申請日： | 2015-05-20 |
| 公開（公告）號： | CN106132902A | 公開（公告）日： | 2016-11-16 |
| 發明（設計）人： | 中山德行;西村英一郎;松村文彥;井藁正史 | 申請（專利權）人： | 住友金屬礦山株式會社 |
| 主分類號： | C04B35/00 | 分類號： | C04B35/00;C23C14/08;C23C14/34;H01L21/363 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 李英艷 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧化物 燒結 濺射 使用 得到 半導體 薄膜 | ||
【權利要求書】：
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于住友金屬礦山株式會社，未經住友金屬礦山株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201580013205.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
