[發明專利]氧化物燒結體、濺射靶以及使用該濺射靶而獲得的氧化物半導體薄膜在審
| 申請號： | 201580012927.X | 申請日： | 2015-03-09 |
| 公開（公告）號： | CN106103379A | 公開（公告）日： | 2016-11-09 |
| 發明（設計）人： | 中山德行;西村英一郎;井藁正史 | 申請（專利權）人： | 住友金屬礦山株式會社 |
| 主分類號： | C04B35/00 | 分類號： | C04B35/00;C23C14/08;C23C14/34;C23C14/58;H01L21/20;H01L21/363 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 李英艷;張永康 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氧化物 燒結 濺射 以及 使用 獲得 半導體 薄膜 | ||
【說明書】：
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